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1. (WO2014025052) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025052    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/071744
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 05.08.2013
CIB :
C01B 33/03 (2006.01)
Déposants : TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7450053 (JP)
Inventeurs : MAJIMA Takuya; (JP).
WAKAMATSU Satoru; (JP).
SAKIDA Manabu; (JP)
Mandataire : OHSHIMA Masataka; OHSHIMA PATENT OFFICE, BN Gyoen Building, 17-11, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-174780 07.08.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing polycrystalline silicon, which comprises: a silicon deposition step wherein silicon is produced by a reaction between a chlorosilane compound and hydrogen; a conversion reaction step wherein the exhaust gas discharged during the silicon deposition step is brought into contact with activated carbon, so that hydrogen chloride in the exhaust gas is removed; a separation step wherein hydrogen in a post-conversion-reaction gas obtained in the conversion reaction step is separated; and a circulation step wherein the hydrogen obtained in the separation step is supplied to the silicon deposition step. This method for producing polycrystalline silicon is characterized by satisfying the condition (1) and/or condition (2) described below. (1) The post-conversion-reaction gas obtained in the conversion reaction step is brought into contact with an adsorbent that contains a Lewis acidic compound before the separation step. (2) The hydrogen obtained in the separation step is brought into contact with an adsorbent that contains a Lewis acidic compound before being supplied to the silicon deposition step.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de silicium polycristallin, qui comprend : une étape de dépôt de silicium dans laquelle le silicium est fabriqué par une réaction entre un composé chlorosilane et de l'hydrogène ; une étape de réaction de conversion dans laquelle le gaz d'échappement déchargé pendant l'étape de dépôt de silicium est mis en contact avec du charbon actif, de sorte que le chlorure d'hydrogène dans le gaz d'échappement est éliminé ; une étape de séparation dans laquelle l'hydrogène dans un gaz de réaction post-conversion obtenu dans l'étape de réaction de conversion est séparé ; et une étape de circulation dans laquelle l'hydrogène obtenu dans l'étape de séparation est introduit dans l'étape de dépôt de silicium. Ce procédé de fabrication de silicium polycristallin est caractérisé en ce qu'il satisfait la condition (1) et/ou la condition (2) décrites ci-dessous. (1) Le gaz de réaction post-conversion obtenu dans l'étape de réaction de conversion est mis en contact avec un adsorbant qui contient un composé acide de Lewis avant l'étape de séparation. (2) L'hydrogène obtenu dans l'étape de séparation est mis en contact avec un adsorbant qui contient un composé acide de Lewis avant d'être introduit dans l'étape de dépôt de silicium.
(JA)クロロシラン化合物と水素との反応によってシリコンを生成するシリコン析出工程、前記シリコン析出工程から排出される排出ガスを活性炭と接触させて該排出ガス中の塩化水素を除去する転化反応工程、前記転化反応工程から得られる転化反応後ガス中の水素を分離する分離工程、及び前記分離工程から得られる水素を前記シリコン析出工程に供給する循環工程を含む多結晶シリコンの製造方法において、下記条件(1)及び(2)のうちの少なくとも一方を充足することを特徴とする、前記多結晶シリコンの製造方法;(1)転化反応工程から得られる転化反応後ガスを、分離工程前にルイス酸性化合物を含有する吸着材と接触させること、及び(2)分離工程から得られる水素を、シリコン析出工程に供給する前にルイス酸性化合物を含有する吸着材と接触させること。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)