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1. (WO2014025003) SUBSTRAT COMPOSITE ET ÉLÉMENT FONCTIONNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/025003    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/071579
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 02.08.2013
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : HIGASHIHARA, Shuuhei; (JP).
IWAI, Makoto; (JP)
Mandataire : HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F 5-4, Takanawa 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1080074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-173667 06.08.2012 JP
Titre (EN) COMPOSITE SUBSTRATE AND FUNCTIONAL ELEMENT
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE ET ÉLÉMENT FONCTIONNEL
(JA) 複合基板および機能素子
Abrégé : front page image
(EN)The present invention has conical or truncated conical projections (2) arranged in regular fashion on a growth surface (1a) of a seed crystal (1) composed of a gallium nitride monocrystal. A gallium nitride crystal layer (4) having a thickness of 100 μm or less is formed by flux growth directly on the growth surface (1a) of the seed crystal.
(FR)La présente invention a des projections coniques ou coniques tronqués (2) disposées d'une manière régulière sur une surface de croissance (1a) d'un cristal germe (1) composé d'un monocristal de nitrure de gallium. Une couche cristalline de nitrure de gallium (4) ayant une épaisseur de 100 µm ou moins est formée par croissance en flux directement sur la surface de croissance (1a) du cristal germe.
(JA)窒化ガリウム単結晶からなる種結晶1の育成面1aに錐状または切頭錐状の突起2が規則的に配列されている。種結晶の育成面1a上にフラックス法によって厚さ100μm以下の窒化ガリウム結晶層4が直接形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)