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1. (WO2014024796) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/024796    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/071005
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 02.08.2013
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP)
Inventeurs : MORI, Katsunori; .
FUKUI, Yasuki; .
TATSUMI, Kazuaki; .
MIHARA, Takayuki;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-176417 08.08.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device mount structure obtained by connecting a first protrusion electrode [a bump (A5)] formed on a first electronic component [a substrate (2) or a semiconductor element (A1)] and a second protrusion electrode [a bump (B6)]formed on a second electronic component [a semiconductor element (B11)]. The first protrusion electrode and the second protrusion electrode are made of different metal materials. The first protrusion electrode is harder than the second protrusion electrode, has a head in an acute shape, and is fixed in the second protrusion electrode.
(FR)La présente invention porte sur une structure de montage de dispositif à semi-conducteurs obtenue par connexion d'une première électrode en saillie [une bosse (A5)] formée sur un premier composant électronique [un substrat (2) ou un élément semi-conducteur (A1)] et une seconde électrode en saillie [une bosse (B6)] formée sur un second composant électronique [un élément semi-conducteur (B11)]. La première électrode en saillie et la seconde électrode en saillie sont réalisées de différents matériaux métalliques. La première électrode en saillie est plus dure que la seconde électrode en saillie, a une tête dans une forme aiguë et est fixée dans la seconde électrode en saillie.
(JA) 第1の電子部品〔基板(2)又は半導体素子(A1)〕に形成された第1の突起電極〔バンプ(A5)〕と、第2の電子部品〔半導体素子(B11)〕に形成された第2の突起電極〔バンプ(B6)〕とを接続させることにより構成される半導体装置の実装構造であって、第1の突起電極と第2の突起電極は、異なる金属材料からなり、第1の突起電極は、第2の突起電極より硬く、尖頭形状を有し、第2の突起電極に埋め込まれている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)