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1. (WO2014024404) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/024404    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/004506
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 24.07.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : NARAHARA, Kazuhiro; (JP).
MASUDA, Sumihisa; (JP)
Mandataire : SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-177317 09.08.2012 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a production method for an epitaxial silicon wafer exhibiting a high degree of flatness at the peripheral edge section thereof and an epitaxial silicon wafer obtained through said production method. [Solution] A production method for an epitaxial silicon wafer characterized by the formation of an epitaxial layer (3) on the front surface (23) of a silicon wafer (2). With regards to the silicon wafer (2), the planar orientation of the front surface (23) is a (100) plane or a (110) plane, and the chamfer width (A1) of the edge section of the front surface (23) side is 200 µm or less.
(FR)Le but de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication pour une tranche de silicium épitaxiale présentant un degré élevé de planéité au niveau de la section de bord périphérique de celle-ci et une tranche de silicium épitaxiale obtenue par ledit procédé de fabrication. L'invention porte sur un procédé de fabrication pour une tranche de silicium épitaxiale caractérisé par la formation d'une couche épitaxiale (3) sur la surface avant (23) d'une tranche de silicium (2). Concernant la tranche de silicium (2), l'orientation planaire de la surface avant (23) est un (100) plan ou un (110) plan, et la largeur de chanfrein (A1) de la section de bord du côté de surface avant (23) est de 200 µm ou moins.
(JA)【課題】周縁部における平坦度が高いエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびこれにより得られるエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。 【解決手段】おもて面23の面方位が(100)面または(110)面であり、おもて面23側の端部の面取り幅A1が200μm以下であるシリコンウェーハ2のおもて面23上にエピタキシャル層3を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)