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1. (WO2014023617) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE, PLAQUETTE DE MOYEN DE CONVERSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE MOYEN DE CONVERSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/023617    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/066011
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 30.07.2013
CIB :
H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : MARKYTAN, Ales; (DE).
GÄRTNER, Christian; (DE).
GALLMEIER, Hans-Christoph; (DE).
STOLL, Ion; (DE).
BRUNNER, Herbert; (DE).
SCHLERETH, Thomas; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 107 290.6 08.08.2012 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHENS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, CONVERSION-MEDIUM LAMINA AND METHOD FOR PRODUCING A CONVERSION-MEDIUM LAMINA
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE, PLAQUETTE DE MOYEN DE CONVERSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE DE MOYEN DE CONVERSION
Abrégé : front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (3). Ferner umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Konversionsmittelplättchen (4), das an einer Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht und zur Umwandlung einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung eingerichtet ist. Das Konversionsmittelplättchen (4) weist ein Matrixmaterial (42) und darin eingebettete Konversionsmittelpartikel (43) auf. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Konversionsschicht (41a). In der mindestens einen Konversionsschicht (41a) befinden sich die Konversionsmittelpartikel (43). Die Konversionsmittelpartikel (43), alleine oder zusammen mit optional vorhandenen Diffusionsmittelpartikeln (45), machen einen Volumenanteil von mindestens 50 % der Konversionsschicht (41a) aus. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Bindeschicht (41c), in der die Konversionsmittelpartikel (43) mit einem Volumenanteil von höchstens 2,5 % vorliegen.
(EN)In at least one embodiment, the semiconductor component (1) comprises an optoelectronic semiconductor chip (3). Furthermore, the semiconductor component (1) comprises a conversion-medium lamina (4), which is fitted to a main radiation side (30) of the semiconductor chip (3) and is designed for converting a primary radiation into a secondary radiation. The conversion-medium lamina (4) comprises a matrix material (42) and conversion-medium particles (43) embedded therein. Furthermore, the conversion-medium lamina (4) comprises a conversion layer (41a). The conversion-medium particles (43) are situated in the at least one conversion layer (41a). The conversion-medium particles (43), alone or together with diffusion-medium particles (45) optionally present, make up a proportion by volume of at least 50% of the conversion layer (41a). Furthermore, the conversion-medium lamina (4) comprises a binder layer (41c) containing the conversion-medium particles (43) with a proportion by volume of at most 2.5%.
(FR)Dans au moins un mode de réalisation, le composant semi-conducteur (1) comprend une puce à semi-conducteur optoélectronique (3). Le composant semi-conducteur (1) comprend en outre une plaquette de milieu de conversion (4) qui est disposée sur un côté principal de rayonnement (30) de la puce à semi-conducteur (3) et agencée pour transformer un rayonnement primaire en un rayonnement secondaire. La plaquette de moyen de conversion (4) présente une matière de matrice (42) et des particules de milieu de conversion (43) noyées dans celle-ci. La plaquette de milieu de conversion (4) comprend en outre une couche de conversion (41a). Les particules de moyen de conversion (43) se trouvent dans la au moins une couche de conversion (41a). Les particules de moyen de conversion (43), seules ou en combinaison avec des particules de milieu de diffusion facultativement présentes (45), représentent une proportion en volume d'au moins 50 % de la couche de conversion (41a). La plaquette de milieu de conversion (4) comprend en outre une couche de liaison (41c), dans laquelle les particules de moyen de conversion (43) sont présentes en une proportion en volume de 2,5 % au maximum.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)