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1. (WO2014023589) PROCÉDÉS POUR RÉALISER DES ÉLÉMENTS DE LITHOGRAPHIE SUR UN SUBSTRAT PAR AUTO-ASSEMBLAGE DE COPOLYMÈRES SÉQUENCÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/023589    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/065824
Date de publication : 13.02.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
G03F 7/00 (2006.01)
Déposants : ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 NL-5500 AH Veldhoven (NL)
Inventeurs : FINDERS, Jozef; (NL).
DRUZHININA, Tamara; (NL).
PEETERS, Emiel; (NL).
WUISTER, Sander; (NL).
VAN HEESCH, Chris; (NL).
VAN DER HEIJDEN, Eddy; (NL).
BOOTS, Henri; (NL)
Mandataire : WEENINK, Willem; ASML Netherlands BV De Run 6665 NL-5504 DT Veldhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/680,042 06.08.2012 US
Titre (EN) METHODS FOR PROVIDING LITHOGRAPHY FEATURES ON A SUBSTRATE BY SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS
(FR) PROCÉDÉS POUR RÉALISER DES ÉLÉMENTS DE LITHOGRAPHIE SUR UN SUBSTRAT PAR AUTO-ASSEMBLAGE DE COPOLYMÈRES SÉQUENCÉS
Abrégé : front page image
(EN)A method of designing an epitaxy template to direct self-assembly of a block copolymer on a substrate into an ordered target pattern involves providing a primary epitaxy template design and then varying the design to optimize a pattern fidelity statistic, such as placement error, relative to the target pattern by modelling predicted self-assembled block copolymer patterns and optimizing pattern placement as a function of a varied design parameter. In addition to varying a design parameter to optimize the pattern fidelity statistic, a random error in the template design is included prior to modelling predicted patterns in order to compensate for expected template inaccuracy in practice. The inclusion of a realistic random error in the template design, in addition to systematic variation of a design parameter, may improve the template design optimization to render the result less sensitive to error which may be inevitable in practice.
(FR)L'invention porte sur un procédé de dessin d'un gabarit d'épitaxie pour diriger l'auto-assemblage d'un copolymère séquencé sur un substrat sous la forme d'un motif cible ordonné, lequel procédé met en œuvre la réalisation d'un dessin de gabarit d'épitaxie primaire, puis le fait de faire varier le dessin de façon à optimiser une statistique de fidélité de motif, telle qu'une erreur de disposition, par rapport au motif cible, par modélisation de motifs de copolymères séquencés auto-assemblés prévus et optimisation d'une disposition de motif en fonction d'un paramètre de dessin ayant varié. En plus de la variation d'un paramètre de dessin pour optimiser la statistique de fidélité de motif, une erreur aléatoire dans le dessin de gabarit est incluse avant la modélisation de motifs prévus afin de compenser une imprécision de gabarit prévue dans la pratique. L'inclusion d'une erreur aléatoire réaliste dans le dessin de gabarit, en plus d'une variation systématique d'un paramètre de dessin, peut améliorer l'optimisation de dessin de gabarit de façon à rendre le résultat moins sensible à une erreur qui peut être inévitable dans la pratique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)