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1. WO2014022518 - ÉTAT D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UN CREUX ENTRE DES ÉTATS DE DONNÉES ADJACENTS

Numéro de publication WO/2014/022518
Date de publication 06.02.2014
N° de la demande internationale PCT/US2013/052942
Date du dépôt international 31.07.2013
CIB
G11C 16/34 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G11C 16/06 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
CPC
G06F 11/1048
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1048using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
G06F 11/1068
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1068in sector programmable memories, e.g. flash disk
G06F 11/1072
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1072in multilevel memories
G11C 11/5642
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5642Sensing or reading circuits; Data output circuits
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 16/06
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • PARTHASARATHY, Sivagnanam
  • KHAYAT, Patrick R.
  • KAYNAK, Mustafa N.
  • EISENHUTH, Robert B.
Mandataires
  • LORFING, Jason P.
Données relatives à la priorité
13/566,18003.08.2012US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MEMORY CELL STATE IN A VALLEY BETWEEN ADJACENT DATA STATES
(FR) ÉTAT D'UNE CELLULE DE MÉMOIRE DANS UN CREUX ENTRE DES ÉTATS DE DONNÉES ADJACENTS
Abrégé
(EN)
The present disclosure includes apparatuses and methods related to memory cell state in a valley between adjacent data states. A number of methods can include determining whether a state of a memory cell is in a valley between adjacent distributions of states associated with respective data states. The method can also include transmitting a signal indicative of a data state of the memory cell and whether the state of the memory cell is in the valley.
(FR)
La présente invention concerne des appareils et procédés relatifs à un état d'une cellule de mémoire se situant dans un creux entre des états de données adjacents. Certains procédés peuvent comprendre l'étape consistant à déterminer si un état d'une cellule de mémoire se situe dans un creux entre des distributions adjacentes d'états associés à des états de données respectifs. Le procédé peut également comprendre les étapes consistant à transmettre un signal caractéristique d'un état de données de la cellule de mémoire et à déterminer si l'état de la cellule de mémoire se situe dans le creux.
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