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1. (WO2014022304) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À PLUSIEURS BITS PAR CELLULE ET COMMANDÉE EN TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/022304    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/052556
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 29.07.2013
CIB :
G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607-5200 (US)
Inventeurs : KHALILI AMIRI, Pedram; (US)
Mandataire : O'BANION, John; O'Banion & Ritchey LLP 400 Capitol Mall, Suite 1550 Sacramento, California 95814 (US)
Données relatives à la priorité :
61/677,380 30.07.2012 US
Titre (EN) MULTIPLE-BITS-PER-CELL VOLTAGE-CONTROLLED MAGNETIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À PLUSIEURS BITS PAR CELLULE ET COMMANDÉE EN TENSION
Abrégé : front page image
(EN)Voltage controlled magneto-electric tunnel junctions and memory devices are described which provide efficient high speed voltage switching of non-volatile magnetic devices (MeRAM) at high cell densities. A multi-bit-per-cell (MBPC) MeRAM is described which requires only a single transistor to write and read two data bits from the one MBPC MeRAM cell.
(FR)La présente invention concerne des jonctions tunnels magnéto-électriques commandées en tension et des périphériques mémoire qui permettent des commutations de tension efficaces à haut débit de dispositifs magnétiques non volatils (MeRAM) à forte densité cellulaire. L'invention concerne une MeRAM à plusieurs bits par cellule (MBPC) qui ne nécessite qu'un seul transistor pour écrire et lire deux bits de données à partir de la seule cellule MeRAM MBPC.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)