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1. (WO2014022077) APPAREIL ET PROCÉDÉS PERMETTANT DE GRAVER UN SUBSTRAT DE QUARTZ DANS LES APPLICATIONS DE FABRICATION DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/022077    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/050322
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 12.07.2013
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 1/80 (2012.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
GRIMBERGEN, Michael [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : GRIMBERGEN, Michael; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, LLP 24 Greenway Plaza, Suite 1600 Houston, TX 77046 (US)
Données relatives à la priorité :
61/679,649 03.08.2012 US
13/750,937 25.01.2013 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHODS FOR ETCHING QUARTZ SUBSTRATE IN PHOTOMASK MANUFACTURING APPLICATIONS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉS PERMETTANT DE GRAVER UN SUBSTRAT DE QUARTZ DANS LES APPLICATIONS DE FABRICATION DE MASQUE PHOTOGRAPHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides methods for etching a quartz substrate using a second level photoresist layer. In one embodiment, a method of etching a quartz substrate includes providing a quartz substrate having a metal containing layer disposed thereon in an etch chamber, applying a first photoresist layer on a substrate, patterning the first photoresist layer to remove a first region of the metal containing layer to expose a first portion of the quartz substrate while remaining a second region of the metal containing layer on the quartz substrate, removing the remaining first photoresist layer on the quartz substrate, applying a second photoresist layer on the exposed quartz substrate and the second region of the metal containing layer, patterning the second photoresist layer to form openings in the second photoresist layer exposing the underlying quartz substrate, and etching the quartz substrate defined by the patterned second photoresist layer.
(FR)La présente invention a trait à des procédés permettant de graver un substrat de quartz à l'aide d'une couche de résine photosensible de second niveau. Selon un mode de réalisation, un procédé permettant de graver un substrat de quartz inclut les étapes consistant à fournir un substrat de quartz qui est doté d'une couche contenant du métal qui est disposée sur celui-ci dans une chambre de gravure, à appliquer une première couche de résine photosensible sur un substrat, à tracer des motifs sur la première couche de résine photosensible de manière à retirer une première région de la couche contenant du métal en vue d'exposer une première partie du substrat de quartz tout en laissant une seconde région de la couche contenant du métal sur le substrat de quartz, à retirer le reste de la première couche de résine photosensible sur le substrat de quartz, à appliquer une seconde couche de résine photosensible sur le substrat de quartz exposé et la seconde région de la couche contenant du métal, à tracer des motifs sur la seconde couche de résine photosensible en vue de former des ouvertures dans la seconde couche de résine photosensible exposant le substrat de quartz sous-jacent, et à graver le substrat de quartz défini par la seconde couche de résine photosensible dotée de motifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)