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1. (WO2014021932) SYSTÈME AMPLIFICATEUR À RENDEMENT ÉLEVÉ À LARGE BANDE ET PROCÉDÉ DE CONSTITUTION D'UN SIGNAL RF MODULÉ EN AMPLITUDE À HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/021932    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/023963
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 31.01.2013
CIB :
H03F 3/68 (2006.01)
Déposants : HBC Solutions, INC. [US/US]; 9800 S. Meridian Boulevard - Suite 300 Englewood, CO 80112 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BORODULIN, Dmitri; (US).
CABRERA, George; (US)
Mandataire : PITZER, Gary J.; Tarolli, Sundheim, Covell & Tummino LLP 1300 East Ninth Street - Suite 1700 Cleveland, Ohio 44114-1501 (US)
Données relatives à la priorité :
13/565,119 02.08.2012 US
Titre (EN) BROADBAND HIGH EFFICIENCY AMPLIFIER SYSTEM AND A METHOD OF CONSTRUCTING HIGH POWER AMPLITUDE MODULATED RF SIGNAL
(FR) SYSTÈME AMPLIFICATEUR À RENDEMENT ÉLEVÉ À LARGE BANDE ET PROCÉDÉ DE CONSTITUTION D'UN SIGNAL RF MODULÉ EN AMPLITUDE À HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A broadband high efficiency (RF) radio frequency amplifier architecture is disclosed. Systems and methods are provided for generating an amplified radio frequency (RF) signal representing a baseband input signal. First, second, and third signal paths are configured to amplify first, second, and third intermediate signals to provide respective amplified signals. A signal combiner assembly is configured to combine the amplified signals to produce the compound amplified RF signal. The signals are combined such that a first amplified signal modulates a load impedance at respective outputs of an active device associated with the plurality of amplifiers in the second signal path, and one of the first amplified signal, the second amplified signal, and a sum of the first and second amplified signals modulates a load impedance of an active device associated with the plurality of amplifiers in the third signal path.
(FR)L'invention concerne une architecture d'amplificateur radiofréquence (RF) à rendement élevé à large bande. L'invention concerne des systèmes et des procédés de génération d'un signal de radiofréquence (RF) amplifié représentant un signal d'entrée de bande de base. Des premier, deuxième et troisième parcours de signal sont configurés pour amplifier des premier, deuxième et troisième signaux intermédiaires pour fournir les signaux amplifiés respectifs. Un ensemble mélangeur de signaux est configuré pour combiner les signaux amplifiés pour produire le signal RF amplifié composé. Les signaux sont combinés de telle manière qu'un premier signal amplifié module une impédance de charge aux sorties respectives d'un dispositif actif associé à la pluralité d'amplificateurs dans le deuxième parcours de signal, et l'un du premier signal amplifié, du deuxième signal amplifié et d'une somme des premier et deuxième signaux amplifiés module une impédance de charge d'un dispositif actif associé à la pluralité d'amplificateurs dans le troisième parcours de signal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)