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1. (WO2014021325) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/021325    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/070618
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 30.07.2013
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), B32B 7/02 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : OGAWA, Soichi [JP/JP]; (JP).
KYOTO INSTITUTE OF THIN-FILM TECHNOLOGY & APPLICATION CO., LTD. [JP/JP]; 418, Yodokizu-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6130911 (JP)
Inventeurs : OGAWA, Soichi; (JP).
YASUDA, Masatomo; (JP).
KONDO, Masatoshi; (JP)
Mandataire : MINORI PATENT PROFESSION CORPORATION; Chiyoda Seimei Kyoto Oike Bldg. 8F, 200, Takamiya-cho, Oike-dori Takakura Nishi-iru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040835 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-169184 31.07.2012 JP
Titre (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE CELUI-CI
(JA) 透明導電膜及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide: a transparent conductive film which has high transmittance and low surface resistance at the same time, namely a visible light transmittance of 85% or more and a surface resistance of 10 Ω/□ or less, said visible light transmittance and surface resistance being at the highest levels for transparent conductive films; and a production method for producing the transparent conductive film by a practical and industrializable process. A transparent conductive film that is obtained by providing a multilayer structure, which comprises a conductive metal thin film and nitride semiconductor thin films that are laminated on the upper and lower surfaces of the conductive metal thin film, on a transparent base sheet. This transparent conductive film is characterized in that: the conductive metal thin film is a thin film formed of silver that is doped with of Pd, Nd and/or Ni in an amount of 0.5-10 wt%; and the nitride semiconductor thin films are thin films of a nitride of aluminum and/or an aluminum alloy.
(FR)La présente invention concerne : un film conducteur transparent qui a simultanément un facteur de transmission élevé et une résistance superficielle faible, c'est-à-dire un facteur de transmission de lumière visible de 85 % ou plus et une résistance superficielle de 10 Ω/□ ou moins, lesdits facteurs de transmission de lumière visible et résistance superficielle étant aux niveaux les plus élevés pour des films conducteurs transparents ; et un procédé de production pour produire le film conducteur transparent par un procédé pratique et industrialisable. Un film conducteur transparent est obtenu en produisant une structure multicouche, qui comprend une couche mince de métal conducteur et des couches minces de semi-conducteur de nitrure qui sont stratifiées sur les surfaces supérieure et inférieure de la couche mince de métal conducteur, sur une feuille de base transparente. Ce film conducteur transparent est caractérisé en ce que : la couche mince de métal conducteur est une couche mince formée d'argent qui est dopé avec Pd, Nd et/ou Ni dans une quantité de 0,5 à 10 % en poids ; et les couches minces de semi-conducteur de nitrure sont des couches minces d'un nitrure d'aluminium et/ou un d'alliage d'aluminium.
(JA) 透明導電膜として最高のレベルである、可視光透過率85%以上かつ表面抵抗10Ω/□以下という高透過率と低表面抵抗を両立する透明導電膜を提供すること、また、かかる透明導電膜を工業化可能で実用的な方法によって製造するための製造方法を提供することを課題とする。 透明な基体シート上に、導電性金属薄膜と当該導電性金属薄膜の上下に積層された窒化物半導体薄膜とを含む積層構造を設けてなる透明導電膜であって、前記導電性金属薄膜が、Pd、Nd及び/又はNiを0.5~10wt%ドーピングした銀からなる薄膜であり、前記窒化物半導体薄膜がアルミニウム及び/又はアルミニウム合金の窒化物薄膜であることを特徴とする透明導電膜。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)