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1. (WO2014021176) PROCÉDÉ PERMETTANT DE METTRE UN SUBSTRAT EN CONTACT AVEC UNE CARTE SONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2014/021176 N° de la demande internationale : PCT/JP2013/070125
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 18.07.2013
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,G01R 31/28 (2006.01)
Déposants : Tokyo Electron Limited[JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs : FURUYA Kunihiro; JP
YAMADA Hiroshi; JP
HYAKUDOMI Takanori; JP
MOCHIZUKI Jun; JP
Mandataire : BECCHAKU Shigehisa; Matsuoka Tamuracho Bldg. 7th Floor, 22-10, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
Données relatives à la priorité :
2012-16951331.07.2012JP
Titre (EN) METHOD FOR BRINGING SUBSTRATE INTO CONTACT WITH PROBE CARD
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE METTRE UN SUBSTRAT EN CONTACT AVEC UNE CARTE SONDE
(JA) プローブカードへの基板当接方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a method for bringing a substrate into contact with a probe card in a substrate inspection apparatus, the method allowing effective inspection of electrical properties of a semiconductor device provided on the substrate. A wafer (W) is arranged on a chuck member (22) using a wafer plate (37) and transported to a position opposing a probe card (36). The transported wafer (W) is moved together with the wafer plate (37) toward the probe card (36) using a lifting device (43) to bring a plurality of electrodes on a semiconductor device provided on the wafer (W) into respective contact with a plurality of probes provided on the probe card (36). The wafer (W) is then caused to overdrive further toward the probe card (36), whereupon the space (S) between the probe card (36) and the wafer plate (37) is reduced to maintain contact between the electrodes of the semiconductor device and the probes of the probe card (36), and the chuck member (22) is removed from the wafer plate (37).
(FR) La présente invention a trait à un procédé permettant de mettre un substrat en contact avec une carte sonde dans un appareil d'inspection de substrat, lequel procédé permet de procéder à une inspection efficace des propriétés électriques d'un dispositif à semi-conducteur qui est prévu sur le substrat. Une plaquette (W) est agencée sur un élément de support individuel (22) à l'aide d'une plaque de plaquette (37) et est transportée jusqu'à une position située à l'opposé d'une carte sonde (36). La plaquette (W) transportée est déplacée avec la plaque de plaquette (37) en direction de la carte sonde (36) à l'aide d'un dispositif de levage (43) de manière à amener une pluralité d'électrodes sur un dispositif à semi-conducteur qui est prévu sur la plaquette (W) en contact respectif avec une pluralité de sondes qui sont prévues sur la carte sonde (36). La plaquette (W) est par la suite déplacée davantage en direction de la carte sonde (36), l'espace (S) entre la carte sonde (36) et la plaque de plaquette (37) étant de la sorte réduit de manière à maintenir un contact entre les électrodes du dispositif à semi-conducteur et les sondes de la carte sonde (36), et l'élément de support individuel (22) est retiré de la plaque de plaquette (37).
(JA) 基板に設けられた半導体デバイスの電気的特性検査を良好に行うことができる基板検査装置におけるプローブカードへの基板当接方法を提供する。ウエハWを、ウエハプレート37を介してチャック部材22に載置してプローブカード36と対向する位置まで搬送し、搬送したウエハWをウエハプレート37とともに、昇降装置43を用いてプローブカード36に向かって移動させてウエハWに設けられた半導体デバイスの複数の電極をプローブカード36に設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後、ウエハWをさらにプローブカード36に向かってオーバードライブさせ、その後、プローブカード36とウエハプレート37との間の空間Sを減圧して半導体デバイスの電極とプローブカード36のプローブとの当接状態を保持し、チャック部材22をウエハプレート37から切り離す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)