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1. (WO2014021034) DÉBITMÈTRE THERMIQUE D'AIR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/021034    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/067758
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 28.06.2013
CIB :
G01F 1/692 (2006.01), G01F 1/68 (2006.01)
Déposants : HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503 (JP)
Inventeurs : ISHITSUKA Norio; (JP).
ONOSE Yasuo; (JP).
SAKUMA Noriyuki; (JP).
NAKANO Hiroshi; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-170737 01.08.2012 JP
Titre (EN) THERMAL AIRFLOW SENSOR
(FR) DÉBITMÈTRE THERMIQUE D'AIR
(JA) 熱式空気流量センサ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a thermal airflow sensor with high airflow measurement precision. A thermal airflow sensor comprises a measurement element further comprising: a semiconductor substrate; an electrical insulator body formed by layering a thin film upon the semiconductor substrate, further comprising a heat resistor, temperature measurement resistors, and a silicon oxide film; and a diaphragm part which is formed with a portion of the semiconductor substrate removed. The heat resistor and the temperature measurement resistors are formed upon the diaphragm part. The ratio of a thin film occupation area to the area of the measurement element is 40-60%.
(FR)La présente invention concerne un débitmètre thermique d'air permettant d'effectuer des mesures de débit d'air très précises. Le débitmètre thermique d'air selon l'invention comprend un élément de mesure comportant : un substrat semi-conducteur ; un corps d'isolant électrique formé par la stratification d'une couche mince sur le substrat semi-conducteur, comprenant en outre une résistance chauffante, des résistances de mesure de température et un film d'oxyde de silicium ; et une partie diaphragme qui est formée avec une partie du substrat semi-conducteur enlevée. La résistance chauffante et les résistances de mesure de température sont formées sur la partie diaphragme. Le rapport entre la surface d'occupation de la couche mince et la surface de l'élément de mesure est de 40 % à 60 %.
(JA) 流量測定精度の高い熱式空気流量センサを提供する。半導体基板と、前記半導体基板上に薄膜を堆積して形成した発熱抵抗体と測温抵抗体とシリコン酸化膜を含む電気絶縁体と、半導体基板の一部を除去して形成したダイヤフラム部とを有し、前記発熱抵抗体及び前記測温抵抗体が前記ダイヤフラム部上に形成された測定素子を有する熱式空気流量センサにおいて、前記測定素子の面積に対する薄膜の占有面積の比率を40~60%とした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)