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1. (WO2014020892) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2014/020892    International Application No.:    PCT/JP2013/004593
Publication Date: 6 févr. 2014 International Filing Date: 29 juil. 2013
IPC: H01L 29/786
H01L 21/28
H01L 21/336
H01L 29/417
H01L 29/423
H01L 29/49
Applicants: PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD.
パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
Inventors: KATO, Tomoya
加藤 智也
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Dans les transistors TFT à câblage à base de Cu comprenant un oxyde semi-conducteur servant de couche de canal, il est requis de stratifier un matériau résistant à l'oxydation sur le Cu car les films de protection sont formés sous atmosphère oxydante. Par conséquent, il est nécessaire de concevoir un matériau de stratification ainsi qu'un procédé de fabrication. Par ailleurs, dans les cas où du silicium amorphe est mis en œuvre en tant que couche de canal, il se pose des problèmes de déconnexion et similaires dus à la corrosion du Cu au cours du procédé. Selon l'invention, un procédé de fabrication de transistor TFT, comprend les étapes consistant à former une couche de base (13) et une couche d'encapsulation (15) servant de câblage source et drain, à partir d'un film d'alliage MoNiNb, et former une couche de faible résistance (14) sur le Cu. Ledit procédé comprend en outre les étapes consistant à modeler par gravure humide en une seule étape le film métallique stratifié, et former une électrode drain (16) et une électrode source (17). Du fait que la couche de câblage principale est recouverte de l'alliage MoNiNb à haute résistance à la corrosion, le Cu dans la couche de câblage principale ne se corrode pas, et même si un film de protection isolant (18) composé d'oxyde est formé sous atmosphère oxydante par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, le Cu ne s'oxyde pas. L'angle de conicité du film métallique stratifié peut être contrôlé à 20 degrés ou plus mais moins de 70 degrés par gravure humide.