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1. (WO2014020799) FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCESSUS DE FABRICATION DE CELUI-CI, TÊTE À JET D'ENCRE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'IMAGE À L'AIDE DE LA TÊTE À JET D'ENCRE, CAPTEUR DE VITESSE ANGULAIRE, PROCÉDÉ DE MESURE DE VITESSE ANGULAIRE À L'AIDE DU CAPTEUR DE VITESSE ANGULAIRE, DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE UTILISANT LE DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE PIÉZOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/020799    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/002426
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 10.04.2013
CIB :
H01L 41/187 (2006.01), B41J 2/045 (2006.01), B41J 2/055 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C30B 29/32 (2006.01), G01C 19/5628 (2012.01), H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/113 (2006.01), H02N 2/18 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : TANAKA, Yoshiaki; .
HARIGAI, Takakiyo; .
ADACHI, Hideaki; .
FUJII, Eiji;
Mandataire : FUJII, Kentaro; c/o Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-172636 03.08.2012 JP
2012-172637 03.08.2012 JP
2012-172638 03.08.2012 JP
2012-172639 03.08.2012 JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC FILM AND PROCESS FOR PRODUCING SAME, INKJET HEAD, METHOD FOR FORMING IMAGE USING INKJET HEAD, ANGULAR VELOCITY SENSOR, METHOD FOR MEASURING ANGULAR VELOCITY USING ANGULAR VELOCITY SENSOR, PIEZOELECTRIC POWER-GENERATING DEVICE AND POWER-GENERATING METHOD USING PIEZOELECTRIC POWER-GENERATING DEVICE
(FR) FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCESSUS DE FABRICATION DE CELUI-CI, TÊTE À JET D'ENCRE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'IMAGE À L'AIDE DE LA TÊTE À JET D'ENCRE, CAPTEUR DE VITESSE ANGULAIRE, PROCÉDÉ DE MESURE DE VITESSE ANGULAIRE À L'AIDE DU CAPTEUR DE VITESSE ANGULAIRE, DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE UTILISANT LE DISPOSITIF DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電体膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a lead-free NBT-BT piezoelectric film which exhibits high crystal orientation and high ferroelectric characteristics. This piezoelectric film is provided with a (1-α) (Bi,Na,Ba)TiO3 -αBiQO3 layer having only (001) orientation. The (1-α) (Bi,Na,Ba)TiO3-αBiQO3 layer is formed on an NaxM1-x layer, wherein: M is Pt, Ir or PtIr; Q is Fe, Co, Zn0.5Ti0.5, or Mg0.5Ti0.5; x is a value of 0.002 to 0.02; and α is a value of 0.20 to 0.50.
(FR)L'objectif de la présente invention est de fournir un film piézoélectrique NBT-BT sans plomb qui présente une orientation cristalline élevée et des caractéristiques ferroélectriques élevées. Ce film piézoélectrique comprend une couche (1-α) (Bi,Na,Ba)TiO3-αBiQO3 ayant uniquement une orientation (001). La couche (1-α) (Bi,Na,Ba)TiO3-αBiQO3 est formée sur une couche NaxM1-x, dans laquelle : M est Pt, Ir ou PtIr; Q est Fe, Co, Zn0,5Ti0,5, ou Mg0,5Ti0,5; x est une valeur de 0,002 à 0,02; et α est une valeur de 0,20 à 0,50.
(JA) 本発明の目的は、高い結晶配向性および高い強誘電特性を有するNBT-BT非鉛圧電体膜を提供することである。本発明の圧電体膜は、(001)配向のみを有する(1-α)(Bi,Na,Ba)TiO―αBiQO層を具備する。(1-α)(Bi,Na,Ba)TiO―αBiQO層は、Na1-x層上に形成されており、Mは、Pt、Ir、またはPtIrを表し、Qは、Fe、Co、Zn0.5Ti0.5、またはMg0.5Ti0.5を表し、xは0.002以上0.02以下の値を表し、そしてαは0.20以上0.50以下の値を表す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)