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1. (WO2014020704) DISPOSITIF ÉLECTRIQUE DE PUISSANCE À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/020704    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/069487
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 31.07.2012
CIB :
H01L 23/36 (2006.01), H01L 23/40 (2006.01)
Déposants : Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAZATO, Shigeyuki [--/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTO, Yoichi [--/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAI, Kiyofumi [--/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMURA, Toru [--/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAZATO, Shigeyuki; (JP).
GOTO, Yoichi; (JP).
KITAI, Kiyofumi; (JP).
KIMURA, Toru; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRIC POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRIQUE DE PUISSANCE À SEMICONDUCTEUR
(JA) 電力半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)An electric power semiconductor device is provided that includes: a mold part (1) that includes an electric power semiconductor element, a base plate having the electric power semiconductor element mounted on a surface thereof on one side and having a projected portion that has a plurality of grooves formed on a surface thereof on the other side, and molding resin that seals the electric power semiconductor element in such a manner that the projected portion is exposed; a plurality of heat release fins (2) that are inserted into the grooves each and are fastened onto the base plate by swaging; and a metal plate (3) that has an opening into which the projected portion is inserted, and is arranged between the mold part and the heat release fins, allowing the projected portion to be inserted into the opening. The metal plate (3) has protrusions that protrude from edges of the opening, and are wedged into side surfaces of the projected portion when the projected portion is inserted into the opening.
(FR)L'invention concerne un dispositif électrique de puissance à semiconducteur comprenant : une partie (1) de moule qui comprend un élément électrique de puissance à semiconducteur, une plaque de base d'un côté de laquelle l'élément électrique de puissance à semiconducteur est monté sur une de ses surfaces et de l'autre côté de laquelle une partie saillante comportant une pluralité de rainures est formée sur l'autre de ses surfaces, et une résine de moulage qui isole l'élément électrique de puissance à semiconducteur de telle manière que la partie saillante soit exposée ; une pluralité d'ailettes (2) de dégagement de chaleur qui sont insérées individuellement dans les rainures et sont fixées sur la plaque de base par rétreint ; et une plaque métallique (3) qui présente une ouverture dans laquelle la partie saillante est insérée, et qui est disposée entre la partie de moule et les ailettes de dégagement de chaleur, permettant à la partie saillante d'être insérée dans l'ouverture. La plaque métallique (3) est dotée de protubérances qui dépassent de bords de l'ouverture et qui sont coincées dans des surfaces latérales de la partie saillante lorsque la partie saillante est insérée dans l'ouverture.
(JA) 電力半導体素子と、一方の面に電力半導体素子が載置され、複数の溝を有する凸部が他方の面に形成されたベース板と、凸部が露出するように電力半導体素子を封止するモールド樹脂とを有するモールド部(1)と、複数の溝の各々に挿入されてかしめによりベース板に固着された複数の放熱フィン(2)と、凸部が挿入される開口を有し、開口に凸部を挿入してモールド部と複数の放熱フィンとの間に配置される金属板(3)とを備えた電力半導体装置であって、金属板(3)は、開口の縁から突出し、凸部を開口に挿入した際に凸部の側面に食い込む突起を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)