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1. (WO2014019821) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT X, DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT X ET SYSTÈME DE TOMODENSITOMÉTRIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/019821    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/064524
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 10.07.2013
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE)
Inventeurs : HACKENSCHMIED, Peter; (DE).
GÖDERER, Edgar; (DE).
SCHRÖTER, Christian; (DE).
STRASSBURG, Matthias; (AT).
WIRTH, Stefan; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 213 411.5 31.07.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR DETEKTION VON RÖNTGENSTRAHLUNG, RÖNTGENSTRAHLUNGSDETEKTOR UND CT-SYSTEM
(EN) METHOD FOR DETECTION OF X-RAY RADIATION, X-RAY RADIATION DETECTOR AND CT SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE RAYONNEMENT X, DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT X ET SYSTÈME DE TOMODENSITOMÉTRIE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Detektion einfallender Röntgenstrahlung mittels eines direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektors (C3, C5), wobei ein zur Detektion verwendetes Halbleitermaterial (HL) zur Generation zusätzlicher Ladungsträger mit einer zusätzlichen Strahlung mit einer Energie von mindestens 1,6 eV bestrahlt wird. Weiter betrifft die Erfindung einen direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5) zur Detektion von Röntgenstrahlung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren, zumindest aufweisend ein zur Detektion von Röntgenstrahlung verwendetes Halbleitermaterial (HL) und mindestens eine Strahlungsquelle (Q), welche das Halbleitermaterial (HL) mit einer zusätzlichen Strahlung bestrahlt, wobei die Strahlung eine Energie von mindestens 1,6 eV aufweist, sowie ein CT-System (C1), aufweisend einen Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5).
(EN)The invention relates to a method for detecting incident X-ray radiation by means of a direct-converting X-ray radiation detector (C3, C5), wherein a semi-conductor material (HL) used for detection purposes is irradiated with additional radiation with an energy level of at least 1.6 eV in order to produce additional charge carriers. The invention also relates to a direct-converting X-ray radiation detector (C3, C5) for detecting X-ray radiation according to the method of the invention, at least comprising a semi-conductor material (HL) used for X-ray detection and at least one radiation source (Q) which irradiates the semi-conductor material (HL) with additional radiation, the radiation having an energy level of at least 1.6 eV. The invention further relates to a CT system (C1) comprising an X-ray radiation detector (C3, C5).
(FR)L'invention concerne un procédé de détection de rayonnement X incident au moyen d'un détecteur de rayonnement X à conversion directe (C3, C5). Un matériau semi-conducteur (HL) utilisé pour la détection est exposé à un rayonnement supplémentaire d'une énergie d'au moins 1,6 eV pour la génération de porteurs de charges supplémentaires. En outre l'invention concerne un détecteur de rayonnement X à conversion directe (C3, C5) pour la détection de rayonnement X d'après le procédé selon l'invention, comportant au moins un matériau semi-conducteur (HL) utilisé pour la détection du rayonnement X et au moins une source de rayonnement (Q), laquelle expose le matériau semi-conducteur (HL) à un rayonnement supplémentaire. Le rayonnement supplémentaire présente une énergie d'au moins 1,6 eV. La présente invention concerne également un système de tomodensitométrie (C1) doté d'un détecteur de rayonnement X (C3, C5).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)