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1. (WO2014019310) MASQUE D'ÉCHELLE DE GRIS ET ÉLÉMENT D'ESPACEMENT DE COLONNE FORMÉ À L'AIDE DE CE MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/019310    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085766
Date de publication : 06.02.2014 Date de dépôt international : 03.12.2012
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), G02F 1/1339 (2006.01), G02F 1/13 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : WU, Hongjiang; (CN).
HUANG, Changgang; (CN).
LI, Min; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210268706.7 30.07.2012 CN
Titre (EN) GRAY SCALE MASK AND COLUMN SPACER FORMED USING SAME
(FR) MASQUE D'ÉCHELLE DE GRIS ET ÉLÉMENT D'ESPACEMENT DE COLONNE FORMÉ À L'AIDE DE CE MASQUE
(ZH) 灰阶掩模板及利用其形成的柱状隔垫物
Abrégé : front page image
(EN)A gray scale mask (100) and a column spacer formed using same. The gray scale mask (100) comprises a transparent substrate and a light shield layer formed thereon. The light shield layer comprises a partial exposure region (120), the partial exposure region (120) comprises at least one annular slit. A column spacer formed using the gray scale mask (100). An upper surface of the column spacer formed under the partial exposure region (120) comprises an annular protrusion and groove corresponding to the annular slit. The cost of the gray scale mask (100) is lower than that of a conventional semi-permeable membrane mask, and the column spacer formed using the gray scale mask (100) can favorably prevent a relative offset between a thin film transistor array substrate and a color filter substrate (300), thereby improving the picture quality of a liquid crystal display device, and also providing a large threshold interval of the drop amount of liquid crystal.
(FR)L'invention a trait à un masque d'échelle de gris (100) ainsi qu'à un élément d'espacement de colonne formé à l'aide de ce masque. Le masque d'échelle de gris (100) comprend un substrat transparent et une couche de protection contre la lumière située sur le substrat. La couche de protection contre la lumière comporte une région d'exposition partielle (120), la région d'exposition partielle (120) incluant au moins une fente annulaire. Un élément d'espacement de colonne est formé à l'aide du masque d'échelle de gris (100). Une surface supérieure dudit élément d'espacement de colonne se trouvant sous la région d'exposition partielle (120) présente une saillie et une rainure annulaires correspondant à la fente annulaire. Le coût du masque d'échelle de gris (100) est inférieur à celui d'un masque classique à membrane semi-perméable, et l'élément d'espacement de colonne formé à l'aide dudit masque d'échelle de gris (100) peut éviter de manière avantageuse un décalage relatif entre un substrat de matrice à transistors en couches minces et un substrat de filtre coloré (300), ce qui permet d'accroître la qualité d'image d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides et d'obtenir aussi un intervalle seuil important en ce qui concerne la quantité de dépôt en gouttes d'un cristal liquide.
(ZH)一种灰阶掩模板(100)及利用其形成的柱状隔垫物,所述灰阶掩模板(100)包括透明衬底和形成于其上的遮光层,所述遮光层包括部分曝光区(120),所述部分曝光区(120)包括至少一个环形狭缝。利用所述灰阶掩模板(100)形成的柱状隔垫物,部分曝光区(120)下形成的柱状隔垫物的上表面包括与环形狭缝相对应的环状突起和凹槽。所述灰阶掩模板(100)的成本比传统的半透膜掩模板低,利用其形成的柱状隔垫物有利地防止薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板(300)的相对位移,从而改善液晶显示装置的画质,同时为液晶滴入量提供范围较大的上下限区间。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)