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1. (WO2014018538) PROCÉDÉS ET AGENCEMENTS CONCERNANT DES BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT DES PUCES À MÉMOIRE MULTIPLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/018538    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/051694
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 23.07.2013
CIB :
H01L 23/00 (2006.01)
Déposants : MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'Horizon Gunsite Road, Brittons Hill St. Michael, BB 14027 (BB)
Inventeurs : SUTARDJA, Sehat; (US)
Mandataire : LEMOND, Kevin T; Lee & Hayes, PLLC 601 W. Riverside Ave, Suite 1400 Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
61/674,703 23.07.2012 US
61/675,626 25.07.2012 US
13/947,936 22.07.2013 US
Titre (EN) METHODS AND ARRANGEMENTS RELATING TO SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING MULTI-MEMORY DIES
(FR) PROCÉDÉS ET AGENCEMENTS CONCERNANT DES BOÎTIERS DE SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT DES PUCES À MÉMOIRE MULTIPLE
Abrégé : front page image
(EN)In an embodiment, there is provided a packaging arrangement comprising a substrate; a multi-memory die coupled to the substrate, wherein the multi-memory die comprises multiple individual memory dies, and each of the multiple individual memory dies is defined as an individual memory die within a wafer of semiconductor material during production of memory dies, and the multi-memory die is created by singulating the wafer of semiconductor material into memory dies, where at least one of the memory dies is the multi-memory die that includes the multiple individual memory dies that are still physically connected together; and a semiconductor die coupled to the multi-memory die and the substrate, wherein the semiconductor die is configured as a system on a chip, wherein at least one of the multi-memory die and the semiconductor die is attached to the substrate.
(FR)Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un agencement d'encapsulation comprenant un substrat ; une puce à mémoires multiples couplée au substrat, la puce à mémoires multiples comprenant de multiples puces de mémoire individuelle, et chacune des multiples puces de mémoire individuelle étant définie en tant que puce de mémoire individuelle dans une tranche de matériau semi-conducteur durant une fabrication de puces de mémoire, et la puce à mémoires multiples est créée en découpant la tranche de matériau semi-conducteur en des puces mémoires, au moins une des puces mémoires étant la puce à mémoires multiples qui comprend les multiples puces de mémoire individuelle qui sont toujours physiquement connectées ensemble ; et une puce de semi-conducteur couplée à la puce à mémoires multiples et au substrat, la puce de semi-conducteur étant configurée en tant que système sur puce, au moins l'une de la puce à mémoires multiples et de la puce de semi-conducteur étant fixée au substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)