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1. (WO2014018156) PUCE DE CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE INTÉGRANT DES DISPOSITIFS MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/018156    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/042760
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 24.05.2013
CIB :
H01L 21/8258 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/085 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449 (US)
Inventeurs : SAUNDERS, Jeffrey, H.; (US)
Mandataire : GREEN, Robert, A.; Christie, Parker & Hale, LLP P.O. Box 29001 Glendale, CA 91209-9001 (US)
Données relatives à la priorité :
13/558,255 25.07.2012 US
Titre (EN) MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT CHIP INTEGRATING MULTIPLE DEVICES
(FR) PUCE DE CIRCUIT INTÉGRÉ MONOLITHIQUE INTÉGRANT DES DISPOSITIFS MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)A monolithic integrated circuit (IC) chip containing a plurality of transistors, including: a substrate; a first transistor on the substrate; and a second transistor integrally formed on the substrate with the first transistor, the second transistor having a different structure than the first transistor, wherein the first transistor includes a first material system and the second transistor includes a second material system different from the first material system. The monolithic IC chip may further include a third transistor integrally formed on the substrate with the first and second transistors. The first transistor may include gallium nitride (GaN) and the second and third transistors may include silicon carbide (SiC).
(FR)L'invention concerne une puce de circuit intégré (CI) monolithique contenant une pluralité de transistors, comprenant : un substrat; un premier transistor sur le substrat; et un deuxième transistor formé intégralement sur le substrat avec le premier transistor, le deuxième transistor ayant une structure différente du premier transistor, le premier transistor comprenant un premier système de matériau et le deuxième transistor comprenant un deuxième système de matériau différent du premier système de matériau. La puce de CI monolithique peut comprendre en outre un troisième transistor intégralement formé sur le substrat avec les premier et deuxième transistors. Le premier transistor peut comprendre du nitrure de gallium (GaN) et les deuxième et troisième transistors peuvent comprendre du carbure de silicium (SiC).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)