WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014018074) MODE DE VEILLE ULTRA-PROFONDE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/018074    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/062770
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 31.10.2012
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01), G06F 1/32 (2006.01)
Déposants : ARTEMIS ACQUISITION LLC [US/US]; 1250 Borregas Avenue Sunnyvale, California 94089 (US)
Inventeurs : CARO, Richard V.; (US).
MANEA, Danut; (US).
WANG, Yongliang; (US).
TRINH, Stephen; (US).
HILL, Paul; (GB)
Mandataire : BORODACH, Samuel; Fish & Richardson P.C. P.O. Box 1022 Minneapolis, MN 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
13/559,320 26.07.2012 US
Titre (EN) ULTRA-DEEP POWER-DOWN MODE FOR MEMORY DEVICES
(FR) MODE DE VEILLE ULTRA-PROFONDE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory device includes a voltage regulator, whose output provides a voltage supply for various other components of the memory device, including a command user interface. The memory device is placed into an ultra-deep power-down mode by providing to the memory device a software command, which causes the output of the voltage regulator to be disabled. To bring the memory device out of the ultra-deep power-down mode, a chip select signal is provided to the memory device, which includes a wake-up circuit that remains powered on even when the memory device is in the ultra-deep power-down mode. Receipt of the chip select signal while the memory device is in the ultra-deep power-down mode causes the output of the voltage regulator to be enabled, thereby providing power to the components that were completely powered down.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mémoire qui comprend un régulateur de tension, dont la sortie fournit une tension d'alimentation pour divers autres composants du dispositif de mémoire, y compris une interface utilisateur de commande. Le dispositif de mémoire est mis dans un mode de veille ultra-profonde par application, au dispositif de mémoire, d'une instruction logicielle, qui amène la sortie du régulateur de tension à être désactivée. Pour faire sortir le dispositif de mémoire du mode de veille ultra-profonde, un signal de sélection de puce est appliqué au dispositif de mémoire, qui comprend un circuit de réveil qui reste alimenté même quand le dispositif de mémoire est dans le mode de veille ultra-profonde. La réception du signal de sélection de puce pendant que le dispositif de mémoire est dans le mode de veille ultra-profonde amène la sortie du régulateur de tension à être activée, ce qui permet d'alimenter électriquement les composants qui étaient complètement mis hors tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)