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1. (WO2014017879) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017879    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/006752
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
H01L 31/042 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; Seoul Square, 541, Namdaemunno 5-ga, Jung-gu Seoul 100-714 (KR)
Inventeurs : GWON, Jin Ho; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 9th Fl. Hyun Juk Bldg., 832-41,Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0082275 27.07.2012 KR
Titre (EN) SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a solar cell and a method of fabricating the same. The method includes forming a back electrode layer on a substrate, forming a first through hole through the back electrode layer, forming a light absorbing layer on the back electrode layer, forming a buffer layer on the light absorbing layer, and forming a second through hole through the buffer layer and the light absorbing layer. A distance between the first through hole and the second through hole is about 40 ㎛ or more.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire et un procédé de fabrication de celle-ci. Le procédé comprend la formation d'une couche d'électrode arrière sur un substrat, la formation d'un premier trou traversant à travers la couche d'électrode arrière, la formation d'une couche d'absorption de lumière sur la couche d'électrode arrière, la formation d'une couche tampon sur la couche d'absorption de lumière, et la formation d'un second trou traversant à travers la couche tampon et la couche d'absorption de lumière. Une distance entre le premier trou traversant et le second trou traversant est d'environ 40 µm ou plus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)