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1. (WO2014017871) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017871    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/006742
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : AN, Sang Jeong [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : AN, Sang Jeong; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0081785 26.07.2012 KR
10-2012-0081788 26.07.2012 KR
10-2012-0098199 05.09.2012 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a semiconductor light-emitting device, comprising: a supporting substrate having a first side and a second side reverse from the first side; at least one semiconductor laminate formed on the first side, said at least one semiconductor laminate having a plurality of semiconductor layers; a bonding layer for bonding a second semiconductor layer from among the plurality of semiconductor layers to the first side of the supporting substrate; and a bonding layer-removed surface, which is formed on the first side, opened toward the plurality of semiconductor layers, and arranged to supply current to the plurality of semiconductor layers.
(FR)La présente invention concerne un dispositif émetteur de lumière à semi-conducteur comprenant : un substrat de support comportant un premier côté et un second côté orienté à l'opposé du premier côté ; au moins un stratifié semi-conducteur formé sur le premier côté, ledit ou lesdits stratifiés semi-conducteurs comportant une pluralité de couches semi-conductrices ; une couche de liaison destinée à lier une seconde couche semi-conductrice parmi la pluralité de couches semi-conductrices au premier côté du substrat de support ; et une surface à couche de liaison éliminée, qui est formée sur le premier côté, ouverte vers la pluralité de couches semi-conductrices et agencée de sorte à alimenter en courant la pluralité de couches semi-conductrices.
(KO)본 개시는 제1 면과 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지는 지지 기판(Supporting substrate); 제1 면상에 형성된 적어도 한 개의 반도체 적층체;로서, 의 반도체층을 구비하는, 적어도 한 개의 반도체 적층체; 복수의 반도체층의 제2 반도체층 측과 지지 기판의 제1 면 측을 접합시키는 접합층(Bonded layer); 그리고, 제1 면에 형성되며, 복수의 반도체층 쪽으로 개방되어 있으며, 복수의 반도체층으로 전류 공급을 위해 구비되는 접합층 제거 면(Bonded layer-removed surface);을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)