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1. (WO2014017650) SUSCEPTEUR, APPAREIL DE CROISSANCE DES CRISTAUX ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DES CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017650    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/070373
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP)
Inventeurs : MIYASHITA, Masahito; (JP).
HIGO, Masaaki; (JP)
Mandataire : HORI, Shiroyuki; 1F, Shoyu-kaikan Bldg., 3-3-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-165692 26.07.2012 JP
Titre (EN) SUSCEPTOR, CRYSTAL GROWING APPARATUS, AND CRYSTAL GROWING METHOD
(FR) SUSCEPTEUR, APPAREIL DE CROISSANCE DES CRISTAUX ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DES CRISTAUX
(JA) サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention uniformly grows a growth layer on a substrate disposed on a susceptor. A lower plate (31) has an outer circumferential protruding section (312) that is formed on the outer circumference of a substrate placing section (311) to surround the substrate placing section (311), said outer circumferential protruding section being higher than the substrate placing section. Consequently, the substrate placing section (311) is the bottom surface of a recessed section formed in the lower plate (31), and a substrate (50) is placed in the recessed section. Namely, the lower plate (31) has a shape in which the substrate (50) is fitted in the inside surrounded by the outer circumferential protruding section (312).
(FR)La présente invention fait croître uniformément une couche de croissance sur un substrat qui est disposé sur un suscepteur. Une plaque inférieure (31) est dotée d'une section en saillie circonférentielle extérieure (312) qui est formée sur la circonférence extérieure d'une section de placement de substrat (311) en vue d'entourer la section de placement de substrat (311), ladite section en saillie circonférentielle extérieure étant plus élevée que la section de placement de substrat. En conséquence de quoi, la section de placement de substrat (311) est la surface inférieure d'une section en retrait qui est formée dans la plaque inférieure (31), et un substrat (50) est placé dans la section en retrait. En d'autres termes, la plaque inférieure (31) est dotée d'une forme dans laquelle le substrat (50) est ajusté dans la partie intérieure qui est entourée par la section en saillie circonférentielle extérieure (312).
(JA) サセプタ上に載置された基板上に成長層を均一に成長させる。 この下部プレート31においては、基板載置部311の外周にこれよりも高 くなる外周突起部312が、基板載置部311を囲んで形成されている。このため、基板載置部311は、下部プレート31中に形成された凹部の底面となっており、基板50はこの凹部に載置される。すなわち、下部プレート31は、外周突起部312で囲まれた内部に基板50が嵌合するような形状とされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)