WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014017648) CREUSET, DISPOSITIF DE CROISSANCE CRISTALLINE ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017648    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/070369
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/06 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventeurs : MASAKI, Katsuaki; (JP).
KUBA, Yutaka; (JP).
DOMOTO, Chiaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-166634 27.07.2012 JP
Titre (EN) CRUCIBLE, DEVICE FOR CRYSTAL GROWTH, AND METHOD FOR CRYSTAL GROWTH
(FR) CREUSET, DISPOSITIF DE CROISSANCE CRISTALLINE ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE CRISTALLINE
(JA) 坩堝、結晶成長装置および結晶成長方法
Abrégé : front page image
(EN)The crucible (1) according to an embodiment of the present invention is a crucible (1) for use in a solution growth method in which a carbon-containing silicon solution (2) is placed in the crucible (1), the lower surface (3B) of a seed crystal (3) is brought from above into contact with the solution (2), and the seed crystal (3) is thereafter pulled up to thereby grow a silicon carbide crystal from the solution (2) on the lower surface (3B) of the seed crystal (3). The crucible (1) is equipped with a solution control member (4) which has been fixed to the inner wall (1A) so that the member (4) is located between the bottom surface (1B) and the surface of the solution (2) when the crucible (1) is used and which has a through-hole (4a) that lies within the area underlying the seed crystal (3) to be disposed above. The crucible (1) is constituted of carbon.
(FR)Selon un mode de réalisation, cette invention concerne un creuset (1) destiné à être utilisé dans un procédé de croissance en solution comprenant les étapes consistant à : disposer dans le creuset (1) une solution de silicium contenant du carbone (2); mettre en contact à partir du dessus la surface inférieure (3B) d'un germe cristallin (3) avec la solution (2); et tirer vers le haut le germe cristallin (3) pour permettre la croissance d'un cristal de carbure de silicium sur la surface inférieure (3B) du germe cristallin (3) à partir de la solution (2). Ledit creuset (1) est doté d'un élément de contrôle de solution (4) fixé sur la paroi intérieure (1A) de telle sorte que ledit élément (4) est disposé entre la surface inférieure (1B) du creuset et la surface de la solution (2) pendant l'utilisation du creuset (1), ledit élément présentant un orifice traversant (4a) situé dans la région sous-jacente au germe cristallin (3) destiné à être disposé au-dessus. Le creuset (1) selon l'invention est à base de carbone.
(JA) 本発明の一実施形態にかかる坩堝1は、炭素を含む珪素の溶液2を内部に収容し、上方から種結晶3の下面3Bを溶液2に接触させた後、種結晶3を引き上げることによって、種結晶3の下面3Bに溶液2から炭化珪素の結晶を成長させる溶液成長法に使用する坩堝1であって、使用時に底面1Bと溶液2の液面との間に位置するように内壁面1Aに固定された、上方に配置される種結晶3の内側に重なる貫通孔4aを有する溶液調整部材4を備えていて、炭素からなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)