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1. (WO2014017427) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017427    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069773
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 22.07.2013
CIB :
H01L 33/34 (2010.01), F21S 2/00 (2006.01), G09F 9/33 (2006.01)
Déposants : V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP)
Inventeurs : KAJIYAMA Koichi; (JP).
NASUKAWA Toshimichi; (JP).
KANAO Masayasu; (JP).
ISHIKAWA Shin; (JP).
OGAWA Yoshinori; (JP)
Mandataire : EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-167604 27.07.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention attempts to expand the valid light-emission area by minimizing the frame regions in the periphery of unit light-emission regions as much as possible. A semiconductor light-emitting device (1) wherein: a light-emission function part (10A) on which multiple unit light-emission regions (1U) are arranged is disposed on a semiconductor substrate (10); the unit light-emission regions (1U) are provided with a pn junction part, in which the semiconductor substrate (10) functions as a common semiconductor layer, as the light-emission part; and the unit light-emission regions (1U) disposed adjacent to one another among the multiple unit light-emission regions (1U) are provided with light-emission parts emitting light of different colors.
(FR)La présente invention tente d'étendre l'aire d'émission de lumière valide en minimisant les zones d'armature dans la périphérie de zones d'émission de lumière unitaire autant que possible. Elle concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur (1) dans lequel : une partie de fonction d'émission de lumière (10A) sur laquelle des zones d'émission de lumière unitaires (1U) multiples sont agencées est disposée sur un substrat semi-conducteur (10) ; les zones d'émission de lumière unitaires (1U) comportent une partie de jonction pn, dans laquelle le substrat semi-conducteur (10) fonctionne comme une couche semi-conductrice commune, comme la partie d'émission de lumière ; et les zones d'émission de lumière unitaires (1U) disposées de manière adjacente les unes aux autres parmi les zones d'émission de lumière unitaires (1U) multiples comportent des parties d'émission de lumière émettant de la lumière de couleurs différentes.
(JA) 単位発光領域周囲の額縁領域を可能な限り小さくして有効発光面積の拡大を図る。半導体発光装置1は、半導体基板10に複数の単位発光領域1Uを配置した発光機能部10Aを設け、単位発光領域1Uは、半導体基板10を共通の半導体層とするpn接合部を光放出部として備え、複数の単位発光領域1Uのうち互いに隣接配置される単位発光領域1Uは、異なる色の光を放出する光放出部を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)