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1. (WO2014017369) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRATS HYBRIDES ET SUBSTRAT HYBRIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017369    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069487
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 18.07.2013
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KONISHI Shigeru; (JP).
KUBOTA Yoshihiro; (JP)
Mandataire : KOJIMA Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-164656 25.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING HYBRID SUBSTRATES, AND HYBRID SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRATS HYBRIDES ET SUBSTRAT HYBRIDE
(JA) ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing hybrid substrates which can be incorporated into a semiconductor production line involves: forming an ion-injection region (3) by injecting ions from the surface of a silicon substrate (1); adhering the ion-injection surface of the silicon substrate and the surface of a sapphire substrate (4) to one another directly or with an insulating film (2) interposed therebetween; and then obtaining a hybrid substrate (8) having a silicon thin-film (semiconductor layer; 6) on the sapphire substrate (4), by detaching the silicon substrate (1) in the ion-injection region (3). This method is characterized in that the adhering to the silicon substrate (1) occurs after the sapphire substrate (4) is heat-treated in advance in a reducing atmosphere.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de substrats hybrides qui peut être incorporé dans une ligne de production de semi-conducteurs et qui comprend les étapes consistant à : former une région d'injection d'ions (3) par l'injection d'ions à partir de la surface d'un substrat de silicium (1) ; coller la surface d'injection d'ions du substrat de silicium et la surface d'un substrat de saphir (4) l'une sur l'autre directement ou au moyen d'un film isolant (2) interposé entre elles ; et ensuite obtenir un substrat hybride (8) ayant un film mince de silicium (couche semi-conductrice ; 6) sur le substrat de saphir (4), en détachant le substrat de silicium (1) dans la région d'injection d'ions (3). Ce procédé est caractérisé en ce que le collage sur le substrat de silicium (1) se produit après que le substrat de saphir (4) a été soumis à un traitement thermique à l'avance dans une atmosphère réductrice.
(JA) 半導体製造ラインに投入可能なハイブリッド基板の製造方法、すなわち、シリコン基板1の表面からイオンを注入してイオン注入領域3を形成し、上記シリコン基板のイオン注入した表面とサファイア基板4の表面とを直接又は絶縁膜2を介して貼り合わせた後、上記イオン注入領域3でシリコン基板1を剥離させてサファイア基板4上にシリコン薄膜(半導体層)6を有するハイブリッド基板8を得るハイブリッド基板の製造方法であって、上記サファイア基板4を予め還元性雰囲気中で熱処理した後にシリコン基板1と貼り合わせることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)