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1. (WO2014017365) ÉLÉMENT THERMISTOR PTC STRATIFIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017365    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069459
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 18.07.2013
CIB :
H01C 7/02 (2006.01), C04B 35/468 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : AOTO Wataru; (JP).
SAIGO Yumin; (JP).
KATSU Hayato; (JP).
NABIKA Yasuhiro; (JP)
Mandataire : PROFIC PC; Iyo Building, 2-21, Minamihommachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-164384 25.07.2012 JP
Titre (EN) LAMINATED PTC THERMISTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT THERMISTOR PTC STRATIFIÉ
(JA) 積層型PTCサーミスタ素子
Abrégé : front page image
(EN)A laminated PTC thermistor element is provided with: a ceramic substrate comprising a plurality of ceramic layers; a plurality of internal electrodes formed in the ceramic substrate; and an external electrode electrically conductive with the internal electrodes, the external electrode being formed on the surface of the ceramic substrate. The average diameter of porcelain particles in the ceramic substrate is 0.3-1.2 µm. The minimum value of the relative density of the ceramic substrate is 70%, the maximum value being -6.43 d+97.83%, where d is the average porcelain particle diameter.
(FR)L'invention concerne un élément thermistor PTC stratifié qui comprend : un substrat céramique comprenant une pluralité de couches céramiques; une pluralité d'électrodes internes formées dans le substrat céramique; et une électrode externe électroconductrice avec les électrodes internes, l'électrode externe étant formée sur la surface du substrat céramique. Le diamètre moyen de particules de porcelaine dans le substrat céramique est de 0,3 à 1,2 µm. La valeur minimale de la densité relative du substrat céramique est de 70 %, la valeur maximale étant -6,43 d + 97,83 %, d étant le diamètre de particules de porcelaine moyen.
(JA) 積層型PTCサーミスタ素子は、複数のセラミック層からなるセラミック基体と、セラミック基体内に形成された複数の内部電極と、内部電極と電気的に導通し、セラミック基体の表面上に形成された外部電極と、を備える。セラミック基体の平均磁器粒径は、0.3[μm]以上、1.2[μm]以下である。また、セラミック基体の相対密度の下限値は70[%]であり、その上限値は、平均磁器粒径をdとおくと、-6.43d+97.83[%]である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)