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1. (WO2014017354) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017354    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069411
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 17.07.2013
CIB :
H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventeurs : YAMAMOTO, Akio; (JP).
MIYAMICHI, Yusuke; (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-166089 26.07.2012 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to improve the photoelectric conversion efficiency of a photoelectric converting device. A photoelectric converting device (11) is provided with an electrode layer (2), a first semiconductor layer (3), disposed on the electrode layer (2), having a chalcopyrite structure that includes a group 11 element, a group 13 element, a chalcogen, and oxygen, and a second semiconductor layer (4) disposed on the first semiconductor layer (3) and forming a p-n junction with the first semiconductor (3). The atomic concentration of oxygen in the first semiconductor (3) is less in the area of the upper surface portion on the second semiconductor layer (4) side than the central portion of the thickness of the first semiconductor layer (3).
(FR)Le but de la présente invention est d'améliorer le rendement de conversion photoélectrique d'un dispositif de conversion photoélectrique. Un dispositif de conversion photoélectrique (11) comporte une couche d'électrode (2), une première couche semi-conductrice (3), disposée sur la couche d'électrode (2), ayant une structure de chalcopyrite qui comprend un élément de groupe 11, un élément de groupe 13, un chalcogène et de l'oxygène, et une seconde couche semi-conductrice (4) disposée sur la première couche semi-conductrice (3) et formant une jonction p-n avec le premier semi-conducteur (3). La concentration atomique d'oxygène dans le premier semi-conducteur (3) est inférieure dans la zone de la partie de surface supérieure sur le côté de la seconde couche semi-conductrice (4) que la partie centrale de l'épaisseur de la première couche semi-conductrice (3).
(JA) 本発明は、光電変換装置の光電変換効率を向上させることを目的とする。 光電変換装置11は、電極層2と、電極層2上に配置された、11族元素、13族元素、カルコゲン元素および酸素元素を含むカルコパイライト構造の第1の半導体層3と、第1の半導体層3上に配置された、第1の半導体層3とpn接合を形成する第2の半導体層4とを備えており、第1の半導体層3における酸素元素の原子濃度は、第1の半導体層3の厚みの中央部よりも第2の半導体層4側の上側表面部の方で低くなっている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)