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1. (WO2014017270) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MODULE DE PILES SOLAIRES À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017270    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/068367
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 04.07.2013
CIB :
H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : SOLAR FRONTIER K.K. [JP/JP]; 2-3-2, Daiba, Minato-ku, Tokyo 1358074 (JP).
HITACHI ZOSEN CORPORATION [JP/JP]; 1-7-89, Nanko-kita, Suminoe-ku, Osaka-shi, Osaka 5598559 (JP)
Inventeurs : NISHIJIMA Yoshiya; (JP).
MIYANO Tetsuo; (JP).
TANAKA Hideo; (JP).
SAKAI Ichiro; (JP).
YAMASHITA Takuto; (JP).
YAMADA Hiroki; (JP).
NAKAYAMA Shigeaki; (JP)
Mandataire : KASUKAWA Toshio; 3Fl., Matsuokashibuya Bldg., 1-17-8, Shibuya, Shibuya-ku, Tokyo 1500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-164363 25.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SOLAR BATTERY MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MODULE DE PILES SOLAIRES À FILM MINCE
(JA) 薄膜太陽電池モジュールの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To secure the required insulation distance and dielectric strength in the removal of photoelectric conversion elements film-formed on the peripheral edge of a substrate for a thin-film solar battery module, while minimizing an increase in takt time. [Solution] In a first removal process, in a region of a prescribed width inward from the edge of a substrate (101) over which photoelectric conversion elements are film-formed, a first photoelectric conversion element removal device is scanned along the edge of the substrate (101) to remove the photoelectric conversion elements film-formed on the substrate (101) up to the abovementioned prescribed width. Further, in the region where the photoelectric conversion elements were removed, a second photoelectric conversion element removal device is scanned in a frame shape along the edge of the substrate (101) with a width narrower than the prescribed width and in a scanning route with a center line (C2) that does not overlap the center line (C1) of the scanning route for the first photoelectric conversion element removal device in the first removal process.
(FR)L'invention vise à garantir la distance d'isolation et la résistance diélectrique nécessaires lors du retrait d'éléments de conversion formés en film sur le bord périphérique d'un substrat destiné à un module de piles solaires à film mince, tout en réduisant le plus possible l'augmentation du temps takt. A cet effet, dans un premier processus de retrait, dans une zone d'une largeur prescrite vers l'intérieur à partir du bord d'un substrat (101) sur lequel les éléments de conversion photoélectriques sont formés en film, un premier dispositif de retrait des éléments de conversion photoélectrique effectue un balayage le long du bord périphérique du substrat (101) pour retirer les éléments de conversion photoélectrique formés en film sur le substrat (101) jusqu'à la largeur prescrite mentionnée ci-dessus. En outre, dans la zone dans laquelle les éléments de conversion ont été retirés, un second dispositif de retrait des éléments de conversion photoélectrique effectue un balayage en forme de cadre le long du bord du substrat (101) à une largeur inférieure à la largeur prescrite et sur un trajet de balayage dont la ligne centrale (C2) ne chevauche pas la ligne centrale (C1) du trajet de balayage du premier dispositif de retrait des éléments de conversion photoélectrique dans le premier processus de retrait.
(JA)【課題】薄膜太陽電池モジュールの基板周縁部に製膜されている光電変換素子の除去において、タクトタイムの増加を抑制しつつ、必要とされる絶縁距離及び絶縁耐力を確保する。 【解決手段】第一除去工程として、光電変換素子が一面に製膜された基板101の縁辺から内側の所定の幅の領域において、第一の光電変換素子除去装置を基板101の縁辺に沿って走査させて、上記基板101上に製膜された光電変換素子を上記所定の幅まで除去する。さらに、当該光電変換素子が除去された領域内において、上記所定の幅よりも狭い幅で、且つ、走査経路の中心線C2を、第一の除去工程における第一の光電変換素子除去装置の走査経路の中心線C1と重畳させることなく、第二の光電変換素子除去装置を基板101の縁辺に沿って枠状に走査させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)