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1. (WO2014017197) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017197    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066083
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 11.06.2013
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : FUJIWARA, Shinsuke; (JP).
NISHIGUCHI, Taro; (JP).
HORI, Tsutomu; (JP).
OOI, Naoki; (JP).
UETA, Shunsaku; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-165995 26.07.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a silicon carbide substrate according to the present invention has the following steps. A portion of a silicon carbide raw material (8) is sublimated. After the portion of the silicon carbide raw material (8) is sublimated, a seed substrate (1) having a principal surface (1A) is placed in a growth container (10). A silicon carbide crystal (11) is grown on the principal surface (1A) of the seed substrate (1) by sublimating the remainder of the silicon carbide raw material (8) in the growth container (10). It is thereby possible to provide a method for manufacturing a silicon carbide substrate having minimal dislocation, in which an increase in dislocation at the principal surface (1A) of the seed substrate (1) is suppressed.
(FR)La présente invention porte sur un procédé pour la fabrication d'un substrat en carbure de silicium, comprenant les étapes suivantes : une partie d'une matière première (8) carbure de silicium est sublimée ; après que la partie de la matière première (8) carbure de silicium est sublimée, un substrat d'amorce (1) ayant une surface principale (1A) est placé dans un récipient de croissance (10) ; et un cristal de carbure de silicium (11) est amené à croître sur la surface principale (1A) du substrat d'amorce (1) par sublimation du reste de la matière première carbure de silicium dans le récipient de croissance (10). Il est de cette manière possible de disposer d'un procédé pour la fabrication d'un substrat en carbure de silicium ayant un minimum de dislocations, une augmentation des dislocations au niveau de la surface principale (1A) du substrat d'amorce (1) étant supprimée.
(JA) 炭化珪素基板の製造方法は以下の工程を有する。炭化珪素原料(8)の一部が昇華される。炭化珪素原料(8)の一部が昇華された後、主面(1A)を有する種基板(1)が成長容器(8)内に配置される。成長容器(10)内で炭化珪素原料(8)の残りを昇華させることにより、種基板(1)の主面(1A)に炭化珪素結晶(11)が成長する。これにより、種基板(1)の主面(1A)における転位の増加を抑制し、転位の少ない炭化珪素基板の製造方法を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)