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1. (WO2014017191) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE CHAUFFAGE PAR MICRO-ONDES ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017191    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/066017
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 11.06.2013
CIB :
H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H05B 6/64 (2006.01), H05B 6/74 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : IKEDA Taro; (JP).
YAMASHITA Jun; (JP).
HONG Seokhyoung; (JP).
SHIMOMURA Kouji; (JP).
HAYASHI Hiroyuki; (JP)
Mandataire : WATANABE Kazuhiro; 703, Hattori-Sagamihara Bldg., 13-2, Sagamihara 2-chome, Chuo-ku, Sagamihara-shi, Kanagawa 2520231 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-164542 25.07.2012 JP
Titre (EN) MICROWAVE HEATING PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE CHAUFFAGE PAR MICRO-ONDES ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) マイクロ波加熱処理装置および処理方法
Abrégé : front page image
(EN)The support device (4) of this microwave heating processing device (1) has: a tubular shaft (14) penetrating the approximate middle of the bottom (13) of a processing vessel (2) and extending to the outside of the processing vessel (2); a dielectric plate (15) provided approximately horizontally at the vicinity of the top end of the shaft (14); a plurality of support pins (16) as support members mounted removably to the peripheral edge of the dielectric plate (15); a rotation drive unit (17); and a lifting/lowering drive unit (18). The dielectric plate (15) is interposed between a wafer (W) and the bottom (13) of the processing vessel (2) in a state separated from the wafer (W), and promotes the absorption of microwaves by the wafer (W) by means of altering the state of the microwaves below the wafer (W).
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de support (4) de ce dispositif de traitement de chauffage par micro-ondes (1), qui comporte : un arbre tubulaire (14) pénétrant le milieu approximatif du fond (13) d'une cuve de traitement (2) et s'étendant vers l'extérieur de la cuve de traitement (2) ; une plaque de diélectrique (15) disposée approximativement horizontalement au voisinage de l'extrémité supérieure de l'arbre (14) ; une pluralité de broches de support (16) en tant qu'éléments de support montés de manière amovible sur le bord périphérique de la plaque de diélectrique (15) ; une unité de commande de rotation (17) ; et une unité de commande de levage/abaissement (18). La plaque de diélectrique (15) est interposée entre une tranche de semi-conducteurs (W) et le fond (13) de la cuve de traitement (2) dans un état séparé de la tranche de semi-conducteurs (W), et favorise l'absorption de micro-ondes par la tranche de semi-conducteurs (W) au moyen d'une altération de l'état des micro-ondes au-dessous de la tranche de semi-conducteurs (W).
(JA) マイクロ波加熱処理装置1の支持装置4は、処理容器2の底部13のほぼ中央を貫通して処理容器2の外部まで延びる管状のシャフト14と、シャフト14の上端付近においてほぼ水平方向に設けられた誘電体板15と、誘電体板15の周縁部に着脱可能に装着された支持部材としての複数の支持ピン16と、回転駆動部17と、昇降駆動部18と、を有している。誘電体板15は、ウエハWと離間した状態でウエハWと処理容器2の底部13との間に介在し、ウエハWの下方におけるマイクロ波の状態を変化させることによってウエハWへのマイクロ波吸収を促進する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)