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1. (WO2014017008) PORTE-ÉCHANTILLON ET PROCÉDÉ PERMETTANT D'OBSERVER UNE IMAGE PAR MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/017008    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/003701
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
H01J 37/20 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP).
LIFESEM INC. [JP/JP]; 2-10-6, Asagayakita, Suginami-ku, Tokyo 1660001 (JP)
Inventeurs : OGURA, Toshihiko; (JP)
Mandataire : OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Marunouchi Kitaguchi Building 21F, 6-5, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-162925 23.07.2012 JP
Titre (EN) SAMPLE HOLDER AND METHOD FOR OBSERVING ELECTRON MICROSCOPIC IMAGE
(FR) PORTE-ÉCHANTILLON ET PROCÉDÉ PERMETTANT D'OBSERVER UNE IMAGE PAR MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE
(JA) 試料ホルダおよび電子顕微鏡像の観察方法
Abrégé : front page image
(EN)A laminated body configured from an insulating thin film (11) and a secondary electron emission preventing thin film (12) is provided inside of an upper main body (21) of a sample holder (20), and an electron beam (41) emitted from an electron gun (40) is inputted from the secondary electron emission preventing thin film side. The lower surface of the insulating thin film (11) is a sample attaching surface, and a sample (30) to be observed is held by means of suction and the like. The secondary electron emission preventing thin film (12) is formed of a material, which has a small secondary electron emission coefficient (δ), and which is preferably a non-insulating material. Namely, since the secondary electron emission preventing thin film (12) has conductive characteristics, while having high electrical resistance, the charging level of a portion irradiated with the electron beam becomes low. As a result, effects of charging due to electron beam irradiation are reduced, secondary electrons generated in the surface layer of the secondary electron emission preventing thin film (12) are not easily emitted to the outside of the film, and image contrast deterioration due to the secondary electron discharge is suppressed.
(FR)Selon la présente invention, un corps stratifié constitué d'un mince film isolant (11) et d'un mince film empêchant une émission d'électrons secondaires (12) est agencé à l'intérieur d'un corps principal supérieur (21) d'un porte-échantillon (20), et un faisceau d'électrons (41) émis par un canon à électrons (40) est entré à partir du côté mince film empêchant une émission d'électrons secondaires. La surface inférieure du mince film isolant (11) constitue une surface de fixation d'échantillon, et un échantillon (30) qui doit être observé est maintenu par aspiration et analogue. Le mince film empêchant une émission d'électrons secondaires (12) est formé d'un matériau qui présente un faible coefficient d'émission d'électrons secondaires (δ) et qui est de préférence un matériau non isolant. A savoir, puisque le mince film empêchant une émission d'électrons secondaires (12) présente des caractéristiques de conduction tout en présentant également une résistance électrique élevée, le niveau de charge d'une partie irradiée avec le faisceau d'électrons est faible. Il s'ensuit que les effets de charge provoqués par l'irradiation de faisceaux d'électrons sont réduits, les électrons secondaires produits sur la couche superficielle du mince film empêchant une émission d'électrons secondaires (12) ne sont pas facilement émis vers l'extérieur du film, et la détérioration du contraste d'image en raison d'une décharge d'électrons secondaires est empêchée.
(JA) 試料ホルダ(20)の上部本体(21)の内部には、絶縁性薄膜(11)と2次電子放射防止薄膜(12)の積層体が設けられており、電子銃(40)から射出された電子線(41)は2次電子放射防止薄膜側から入射する。絶縁性薄膜(11)の下面は試料付着面であり、観察対象となる試料(30)が吸着等により保持されている。2次電子放射防止薄膜(12)は2次電子放出係数δが小さい材質から成り、好ましくは非絶縁性である。つまり、2次電子放射防止薄膜(12)は電気的抵抗が高いながらも導電性を有しているため、電子線照射部位の帯電レベルは低くなる。その結果、電子線照射による帯電効果は低減し、2次電子放射防止薄膜(12)の表層で発生した2次電子が膜外へと放射され難くなり、2次電子放出に起因する画像のコントラスト低下が抑制される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)