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1. (WO2014016932) CELLULE SOLAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/016932    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/068923
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2012
CIB :
H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi City, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
ARIMOTO, Mamoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIRIHATA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASU, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARIMOTO, Mamoru; (JP).
KIRIHATA, Yutaka; (JP).
NAKASU, Masato; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLAR-CELL MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)A solar cell having improved photoelectric conversion efficiency is provided. A first amorphous semiconductor layer (11na) having a first conductivity type is formed on top of part of one principal surface (10b) of a substrate (10n) comprising a semiconductor material. A first microcrystalline semiconductor layer (13nc) having the first conductivity type is formed on top of the first amorphous semiconductor layer (11na). A second microcrystalline semiconductor layer (13pc) having another conductivity type is formed on top of the first microcrystalline semiconductor layer (13nc). A second amorphous semiconductor layer (12pa) having the other conductivity type is formed across the top of the second microcrystalline semiconductor layer (13pc) and the top of the part of the first principal surface (10b) of the substrate (10n) exposed by the second microcrystalline semiconductor layer (13pc). Etching is used to provide the surface of the first microcrystalline semiconductor layer (13nc) and/or the surface of the second microcrystalline semiconductor layer (13pc) with a texture stemming from crystal grains.
(FR)L’invention fournit une cellule solaire possédant un rendement de conversion photoélectrique amélioré. Une première couche semi-conductrice amorphe (11na) d’un premier type de conductivité, est formée sur une portion d’une face principale (10b) d’un substrat (10n) constitué d’un matériau semi-conducteur. Une première couche semi-conductrice microcristalline (13nc) du premier type de conductivité, est formée sur la première couche semi-conductrice amorphe (11na). Une seconde couche semi-conductrice microcristalline (13pc) d’un autre type de conductivité, est formée sur la première couche semi-conductrice microcristalline (13nc). Une seconde couche semi-conductrice amorphe (12pa) d’un autre type de conductivité, est formée à la fois sur la seconde couche semi-conductrice microcristalline (13pc), et sur une partie de la face principale (10b) du substrat (10n) exposée par la seconde couche semi-conductrice microcristalline (13pc). Des creux et des reliefs provoqués par des grains cristallins, sont agencés par gravure d’au moins une des surfaces des première et seconde couches semi-conductrices microcristallines (13nc, 13pc).
(JA) 改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。 半導体材料からなる基板10nの一主面10bの一部分の上に一の導電型を有する第1のアモルファス半導体層11naを形成する。第1のアモルファス半導体層11naの上に一の導電型を有する第1の微結晶半導体層13ncを形成する。第1の微結晶半導体層13ncの上に他の導電型を有する第2の微結晶半導体層13pcを形成する。第2の微結晶半導体層13pcの上と、基板10nの一主面10bの第2の微結晶半導体層13pcからの露出部の上とに跨がって他の導電型を有する第2のアモルファス半導体層12paを形成する。第1及び第2の微結晶半導体層13nc、13pcの少なくとも一方の表面をエッチングすることにより結晶粒に起因した凹凸を設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)