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1. (WO2014016931) CELLULE SOLAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/016931    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/068922
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2012
CIB :
H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi City, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
ARIMOTO, Mamoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARIMOTO, Mamoru; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CELLULE SOLAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 太陽電池及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A solar cell having improved photoelectric conversion efficiency is provided. Said solar cell is provided with the following: a substrate (10n) comprising a semiconductor material; an essentially intrinsic i-type semiconductor layer (11ia); an amorphous semiconductor layer (11na); a microcrystalline semiconductor layer (13nc); another microcrystalline semiconductor layer (13pc); and another amorphous semiconductor layer (12pa). The i-type semiconductor layer (11ia) is disposed on top of one principal surface (10b) of the substrate (10n), one amorphous semiconductor layer (11na) is disposed on top of part of the i-type semiconductor layer (11ia), one microcrystalline semiconductor layer (13nc) is disposed on top of said amorphous semiconductor layer (11na), the other microcrystalline semiconductor layer (13pc) is disposed on top of said microcrystalline semiconductor layer (13nc), and the other amorphous semiconductor layer (12pa) is disposed across the top of said microcrystalline semiconductor layer (13pc) and the top of the part of the i-type semiconductor layer (11ia) exposed by said microcrystalline semiconductor layer (13pc). Said amorphous semiconductor layer (12pa) and said microcrystalline semiconductor layer (13pc) are in contact with each other.
(FR)L’invention fournit une cellule solaire possédant un rendement de conversion photoélectrique amélioré. La cellule solaire est équipée : d’un substrat (10n) constitué d’un matériau semi-conducteur; d’une couche semi-conductrice de type i (11ia) substantiellement intrinsèque; d’une couche semi-conductrice amorphe (11na); d’une couche semi-conductrice microcristalline (13nc); d’une couche semi-conductrice microcristalline (13pc); et d’une couche semi-conductrice amorphe (12pa). La couche semi-conductrice de type i (11ia) est placée sur une face principale (10b) du substrat (10n). La couche semi-conductrice amorphe (11na) est placée sur une portion de la couche semi-conductrice de type i (11ia). La couche semi-conductrice microcristalline (13nc) est placée sur la couche semi-conductrice amorphe (11na). La couche semi-conductrice microcristalline (13pc) est placée sur la couche semi-conductrice microcristalline (13nc). La couche semi-conductrice amorphe (12pa) est placée à la fois sur la couche semi-conductrice microcristalline (13pc), et sur une partie de la couche semi-conductrice de type i (11ia) exposée par la couche semi-conductrice microcristalline (13pc). La couche semi-conductrice amorphe (12pa) et la couche semi-conductrice microcristalline (13pc) entrent en contact.
(JA) 改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。 太陽電池は、半導体材料からなる基板10nと、実質的に真性なi型半導体層11iaと、アモルファス半導体層11naと、微結晶半導体層13ncと、微結晶半導体層13pcと、アモルファス半導体層12paとを備える。i型半導体層11iaは、基板10nの一主面10bの上に配されている。アモルファス半導体層11naは、i型半導体層11iaの一部分の上に配されている。微結晶半導体層13ncは、アモルファス半導体層11naの上に配されている。微結晶半導体層13pcは、微結晶半導体層13ncの上に配されている。アモルファス半導体層12paは、微結晶半導体層13pcの上と、i型半導体層11iaの微結晶半導体層13pcからの露出部の上とに跨がって配されている。アモルファス半導体層12paと微結晶半導体層13pcとが接触している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)