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1. (WO2014016757) ISOLATION ÉLECTRIQUE DANS UN DISPOSITIF IMPLANTABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/016757    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/056006
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 22.07.2013
CIB :
H04R 25/00 (2006.01)
Déposants : COCHLEAR LIMITED [AU/AU]; c/o IP Department 1 University Avenue Macquarie University, New South Wales 2109 (AU)
Inventeurs : MESKENS, Werner; (AU)
Données relatives à la priorité :
13/555,317 23.07.2012 US
Titre (EN) ELECTRICAL ISOLATION IN AN IMPLANTABLE DEVICE
(FR) ISOLATION ÉLECTRIQUE DANS UN DISPOSITIF IMPLANTABLE
Abrégé : front page image
(EN)A total implantable hearing aid system is described. The system includes a single transformer that acts as an insulator between simulation circuitry and associated electrodes, and other system elements residing in the tissue. These other system elements include an RF receiver coil, a microphone system, a battery, and a digital signal processor. The transformer also increases the battery output voltage to a level needed by the simulation circuitry with electrodes.
(FR)L'invention concerne un système de prothèse auditive totalement implantable. Ce système comprend un transformateur unique qui agit comme isolant entre un circuit de simulation et des électrodes associées, et d'autres éléments du système se trouvant dans le tissu. Ces autres éléments du système comprennent une bobine de réception radiofréquence, un système de microphone, une batterie et un processeur de signal numérique. Le transformateur augmente également la tension de sortie de la batterie à un niveau requis par le circuit de simulation et les électrodes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)