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1. (WO2014016694) ADAPTATION DE RÉSONANCE INTERNE ENTRE UN DISPOSITIF IMPLANTÉ ET UN DISPOSITIF EXTERNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/016694    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/002105
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.07.2013
CIB :
A61B 5/08 (2006.01), A61B 5/103 (2006.01), A61N 1/00 (2006.01), A61N 1/05 (2006.01), A61N 1/08 (2006.01), A61N 1/36 (2006.01), A61N 1/372 (2006.01)
Déposants : MASHIACH, Adi [IL/IL]; (IL)
Inventeurs : MASHIACH, Adi; (IL)
Données relatives à la priorité :
61/676,327 26.07.2012 US
Titre (EN) INTERNAL RESONANCE MATCHING BETWEEN AN IMPLANTED DEVICE AND AN EXTERNAL DEVICE
(FR) ADAPTATION DE RÉSONANCE INTERNE ENTRE UN DISPOSITIF IMPLANTÉ ET UN DISPOSITIF EXTERNE
Abrégé : front page image
(EN)A unit configured for implantation in a subject's body may include a carrier, an implantable circuit associated with the carrier, an antenna arranged on the carrier and configured to wirelessly receive energy from a location external to the subject's body and to provide at least a portion of the energy to the implantable circuit, and at least one component associated with the carrier for receiving energy from the implantable circuit. Wherein the implantable circuit and the antenna have an internal resonant frequency mismatched from an external resonant frequency of an external circuit, to account for resonance frequency variation as a result of implantation in the subject's body.
(FR)Une unité configurée pour être implantée dans le corps d'un sujet peut comprendre un support, un circuit implantable associé au support, une antenne disposée sur le support et configurée pour recevoir sans fil de l'énergie en provenance d'un emplacement extérieur au corps du sujet et pour fournir au moins une partie de l'énergie au circuit implantable, et au moins un composant associé au support pour recevoir l'énergie en provenance du circuit implantable. Le circuit implantable et l'antenne possèdent une fréquence de résonance interne non adaptée par rapport à une fréquence de résonance d'un circuit externe, afin que le changement de fréquence de résonance suite à l'implantation dans le corps du sujet puisse être pris en compte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)