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1. (WO2014016544) PROCÉDÉ POUR LE DÉPÔT ÉLECTROCHIMIQUE D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/016544    N° de la demande internationale :    PCT/GB2013/000322
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 24.07.2013
CIB :
C25D 5/02 (2006.01), C25D 9/04 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF SOUTHAMPTON [GB/GB]; Highfield Campus Southampton SO17 1BJ (GB)
Inventeurs : REID, Gillian; (GB).
BARTLETT, Philip Nigel; (GB).
HECTOR, Andrew Lee; (GB)
Mandataire : JONES, Graham Henry; Graham Jones & Co 77 Beaconsfield Road Blackheath London SE3 7LG (GB)
Données relatives à la priorité :
1213589.3 27.07.2012 GB
Titre (EN) A PROCESS FOR THE ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ POUR LE DÉPÔT ÉLECTROCHIMIQUE D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A process for the electrochemical deposition of a semiconductor material, which process comprises: (i) providing a non-aqueous solvent; (ii) providing at least one precursor salt which forms a source of the constituent elements within the semiconductor material to be deposited; and (iii) electrodepositing the semiconductor material onto an electrode substrate using the precursor salt in the non-aqueous solvent, characterised in that: (iv) the semiconductor material is a p-block or a post-transition metal semiconductor material containing at least one p-block element or post-transition metal; and (v) the non-aqueous solvent is a halocarbon non-aqueous solvent.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour le dépôt électrochimique d'un matériau semi-conducteur, lequel procédé comprend : (i) l'utilisation d'un solvant non aqueux ; (ii) l'utilisation d'au moins un sel précurseur qui forme une source des éléments constitutifs au sein du matériau semi-conducteur devant être déposé ; et (iii) le dépôt électrolytique du matériau semi-conducteur sur un substrat électrode à l'aide du sel précurseur dans le solvant non aqueux, caractérisé en ce que : (iv) le matériau semi-conducteur est un matériau semi-conducteur à base d'élément du bloc p ou de métal de post-transition contenant au moins un élément du bloc p ou un métal de post-transition ; et (v) le solvant non aqueux et un solvant non aqueux hydrocarbure halogéné.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)