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1. (WO2014015628) SUBSTRAT DE RÉSEAU, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015628    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086776
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 17.12.2012
CIB :
H01L 21/77 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/136 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : CAO, Zhanfeng; (CN).
TONG, Xiaoyang; (CN).
YAO, Qi; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210265597.3  27.07.2012 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制作方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an array substrate, the array substrate and a display device are provided. The method for manufacturing the array substrate comprises the following steps: S1: forming a pattern of a gate electrode (2) and a gate line on an insulating substrate; S2: forming a gate insulating layer (3), an active layer pattern (4), a source/drain (5) and a data line pattern on the substrate after the step S1; and S3: forming a passivation layer pattern and a pixel electrode pattern on the substrate after the step S2 by one-mask process, the pixel electrode pattern being contacted with the source/drain pattern and covering the gate insulating layer (3). The method for manufacturing the array substrate only involves three masks, and only one gray-scale mask is utilized. Therefore, the cost is reduced and the yield rate is increased. The pixel electrode of the array substrate according to the method is directly arranged on the gate insulating layer, so that the array substrate structure is beneficial for improving the transmittance.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de réseau, le substrat de réseau et un dispositif d'affichage. Le procédé de fabrication du substrat de réseau comprend les étapes suivantes : S1 : former un motif d'une électrode de grille (2) et d'une ligne de grille sur un substrat isolant ; S2 : former une couche d'isolation de grille (3), un motif de couche active (4), une source/drain (5) et un motif de ligne de données sur le substrat après l'étape S1 ; et S3 : former un motif de couche de passivation et un motif d'électrode de pixel sur le substrat après l'étape S2 par traitement à masque unique, le motif d'électrode de pixel étant en contact avec le motif de source/drain et recouvrant la couche d'isolation de grille (3). Le procédé de fabrication du substrat de réseau implique uniquement trois masques, et seulement un masque à niveau de gris est utilisé. Ainsi, le coût est réduit et le rendement est augmenté. L'électrode de pixel de substrat de réseau selon le procédé est directement agencée sur la couche d'isolation de grille, de telle sorte que la structure de substrat de réseau est bénéfique pour améliorer la transmittance.
(ZH)一种阵列基板制作方法及阵列基板和显示装置,阵列基板制作方法包括以下步骤:S1:在绝缘基板(1)上形成包括栅极(2)和栅线的图形;S2:在经过步骤S1之后的基板上形成栅绝缘层(3)、有源层图形(4)、源/漏极(5)和数据线图形;S3:在经过步骤S2之后的基板上通过一次掩模工艺形成钝化层图形及像素电极图形,使像素电极图形与源/漏极图形接触,且覆盖在栅绝缘层(3)上。该阵列基板制作方法仅使用三次掩模工艺,且只使用了一次灰度掩模技术,降低了成本,提高了良品率;根据该方法制作的阵列基板的像素电极直接位于栅绝缘层之上,这种阵列基板结构有利于提高透过率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)