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1. (WO2014015598) CAPTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015598    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085290
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 26.11.2012
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : LI, Tiansheng; (CN).
XU, Shaoying; (CN).
XIE, Zhenyu; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210262973.3 26.07.2012 CN
Titre (EN) SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 传感器及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A sensor and a manufacturing method therefor. The sensor comprises: a base substrate (32), one set of gate wires (30) and one set of data wires (31) in a crisscross arrangement, and multiple sensor units arranged in an array and defined by the one set of gate wires (30) and by the one set of data wires (31). Each sensor unit comprises a photodiode sensor component and a thin-film transistor component, where the photodiode sensor component comprises: a bias wire (42) arranged on the base substrate (32), a transparent electrode (41) arranged above the bias wire (42) and electrically contacted with the bias wire (42), a photodiode transistor (40) arranged above the transparent electrode (41), and a receiver electrode (39) arranged above the photodiode transistor (40), and where the thin-film transistor component is arranged above the photodiode transistor (40). When the sensor is working, light passes through the base substrate (32) and is transmitted directly onto the photodiode sensor component, thus, compared with the prior art, greatly reducing light loss and increasing the absorption and utilization rates of the light.
(FR)La présente invention concerne un capteur, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Le capteur comprend : un substrat de base (32); un ensemble de fils de grille (30) et un ensemble de fil de données (31) en un agencement pseudo-réticulé; et de multiples unités de détection agencées en réseau et définies par l'ensemble de fils de grille (30) et l'ensemble de fil de données (31). Chaque unité de détection comprend un composant de capteur à photodiode et un composant de transistor à couches minces. Le composant de capteur à photodiode comprend : un fil de polarisation (42), agencé sur le substrat de base (32); une électrode transparente (41), agencée sur le fil de polarisation (42) et en contact électrique avec le fil de polarisation (42); un transistor à photodiode (40), agencé au-dessus de l'électrode transparente (41); et une électrode de réception (39), agencée au-dessus du transistor à photodiode (40), le composant de transistor à couches minces étant agencé au-dessus du transistor à photodiode (40). Lorsque le capteur est en fonctionnement, la lumière passe à travers le substrat de base (32), puis est émise directement sur le composant de capteur à photodiode, ce qui permet ainsi, par rapport à l'état de la technique, de diminuer fortement les pertes de lumière et d'accroître les taux d'absorption et d'utilisation de la lumière.
(ZH)一种传感器及其制造方法,该传感器包括:衬底基板(32)、呈交叉排列的一组栅线(30)和一组数据线(31)、由一组栅线(30)和一组数据线(31)限定的呈阵列状排布的多个感测单元。每个感测单元包括光电二极管传感器件和薄膜晶体管器件。其中,光电二极管传感器件包括:位于衬底基板(32)之上的偏压线(42);位于偏压线(42)之上、与偏压线(42)导电接触的透明电极(41);位于透明电极(41)之上的光电二极管(40);以及,位于光电二极管(40)之上的接收电极(39),薄膜晶体管器件位于光电二极管(40)之上。传感器在工作时,光线经过衬底基板(32)直接透射在光电二极管传感器件上,对比于现有技术,大大减少了光损失,提高了光的吸收利用率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)