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1. (WO2014015592) CAPTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015592    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085186
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 23.11.2012
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : XU, Shaoying; (CN).
XIE, Zhenyu; (CN).
CHEN, Xu; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210262839.3 26.07.2012 CN
Titre (EN) SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CAPTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 传感器及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a sensor and a method for manufacturing same. The sensor comprises: a substrate (32); a group of gate lines (30) and a group of data lines (31), arranged in a cross pattern; and a plurality of sensing units arranged in an array and defined by the group of gate lines (30) and the group of data lines (31), each sensing unit comprising a thin film transistor element and a photodiode sensing element, the thin film transistor element being of a top gate structure. The photodiode sensing element comprises: a receiving electrode (39) connected to a source (33), a photodiode (40) located on the receiving electrode (39), a transparent electrode (41) located on the photodiode; and a bias line (42) located above the transparent electrode (41) and connected to the transparent electrode (41), the bias line (42) being arranged parallel to the gate lines (30). Compared to the prior art, the number of mask plates used is reduced, the manufacturing cost is reduced, the manufacturing process is simplified, and the equipment capacity and the product yield rate are improved.
(FR)L'invention concerne un capteur un procédé de fabrication dudit capteur. Ce capteur comprend : un substrat (32) ; un groupe de lignes de grille (30) et un groupe de lignes de données (31), agencées selon une configuration en croix ; et une pluralité d'unités de détection disposées en réseau et définies par le groupe de lignes de grille (30) et le groupe de lignes de données (31), chaque unité de détection comprenant un élément transistor à couches minces et un élément de détection à photodiode, l'élément de transistor à film mince présentant une structure à grille supérieure. L'élément de détection à photodiode comprend : une électrode de réception (39) reliée à une source (33), une photodiode (40) située sur l'électrode de réception (39), une électrode transparente (41) située sur la photodiode ; et une ligne de polarisation (42) située au-dessus de l'électrode transparente (41) et reliée à l'électrode transparente (41), la ligne de polarisation (42) étant disposée parallèlement aux lignes de grille (30). Par rapport à l'art antérieur, le nombre de plaques de masque utilisées est réduit, le coût de fabrication est réduit, le processus de fabrication est simplifié, et la capacité de l'équipement et le taux de rendement de produit sont améliorés.
(ZH)提供一种传感器及其制造方法,其中传感器包括:衬底基板(32)、呈交叉排列的一组栅线(30)和一组数据线(31),以及由一组栅线(30)和一组数据线(31)所限定的多个呈阵列状排布的感测单元,每个感测单元包括薄膜晶体管和光电二极管传感器件,其中薄膜晶体管器件为顶栅极结构。光电二极管传感器件包括:与源极(33)连接的接收电极(39),位于接收电极(39)之上的光电二极管(40)、位于光电二极管之上的透明电极(41),以及在透明电极(41)的上方与透明电极(41)连接的偏压线(42),偏压线(42)平行于栅线(30)设置。与现有技术相比减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,提升了设备产能及产片的良率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)