WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014015576) SUBSTRAT DE RÉSEAU TFT-LCD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015576    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/084264
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 08.11.2012
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : SHANGHAI TIANMA MICRO-ELECTRONICS CO., LTD [CN/CN]; 889 Huiqing Rd., Pudong New District Shanghai 201201 (CN)
Inventeurs : GU, Hanyu; (CN).
QIAN, Dong; (CN).
ZENG, Zhanghe; (CN)
Mandataire : BEYOND ATTORNEYS AT LAW; F6, Xijin Centre 39 Lianhuachi East Rd., Haidian District Beijing 100036 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210260407.9 25.07.2012 CN
Titre (EN) TFT-LCD ARRAY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU TFT-LCD
(ZH) TFT-LCD阵列基板
Abrégé : front page image
(EN)A TFT-LCD array substrate is provided to meet the storage capacitance requirements by adding a second storage capacitor. A plurality of pixel units (2) are formed on the substrate. Each pixel unit (2) comprises: a first storage capacitor (200) comprising a transparent common electrode (20), a pixel electrode (22) disposed on the transparent common electrode (20), and a first insulating layer (21) disposed between the transparent common electrode (20) and the pixel electrode (22); in addition, a second storage capacitor (206) comprising a first conductive layer (23), a second conductive layer (25), and a second insulating layer (24) disposed between the first conductive layer (23) and the second conductive layer (25), and wherein the first conductive layer (23) and the second conductive layer (25) electrically connect the transparent common electrode potential and the pixel electrode potential, respectively, in the pixel unit (2). A larger storage capacitance and a higher aperture ratio are achieved for pixel units.
(FR)L'invention concerne un substrat de réseau TFT-LCD qui remplit les exigences de capacité de stockage par ajout d'un second condensateur de stockage. Une pluralité d'unités de pixel (2) sont formées sur le substrat. Chaque unité de pixel (2) comprend : un premier condensateur de stockage (200) comprenant une électrode commune transparente (20), une électrode de pixel (22) disposée sur l'électrode commune transparente (20), et une première couche isolante (21) disposée entre l'électrode commune transparente (20) et l'électrode de pixel (22) ; de plus, un second condensateur de stockage (206) comprenant une première couche conductrice (23), une seconde couche conductrice (25), et une seconde couche isolante (24) disposée entre la première couche conductrice (23) et la seconde couche conductrice (25), et la première couche conductrice (23) et la seconde couche conductrice (25) étant électriquement au potentiel d'électrode commune transparente et au potentiel d'électrode de pixel, respectivement, dans l'unité de pixel (2). Une plus grande capacité de stockage et un plus grand rapport d'ouverture sont obtenus pour les unités de pixel.
(ZH)提供了一种TFT-LCD阵列基板,通过增加第二存储电容满足了对存储电容值大小的要求。该基板上形成有多个像素单元(2),每个像素单元(2)包括:第一存储电容(200),所述第一存储电容(200)由透明公共电极(20)、位于所述透明公共电极(20)之上的像素电极(22)以及设置于所述透明公共电极(20)和像素电极(22)之间的第一绝缘层(21)形成;同时,第二存储电容(206)由第一导电层(23)、第二导电层(25)以及设置于所述第一导电层(23)和第二导电层(25)之间的第二绝缘层(24)形成,其中,第一导电层(23)及第二导电层(25)在像素单元(2)内部分别与透明公共电极电位及像素电极电位电性连接。从而实现了像素单元具有较大的存储电容值及较高的开口率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)