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1. (WO2014015453) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015453    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/001510
Date de publication : 30.01.2014 Date de dépôt international : 08.11.2012
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Xuehui; (CN).
LIU, Xiang; (CN).
XUE, Jianshe; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210260931.6  25.07.2012 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a thin film transistor, comprising a substrate (1), and a gate layer (3), a gate insulating layer (4), an active layer (5), an electrode metal layer (8), and a passivation layer (9) that are successively formed on the substrate (1), the electrode metal layer (8) comprising a source electrode (8a) and a drain electrode (8b), the source electrode (8a) and the drain electrode (8b) being isolated from each other and a channel region being defined therebetween, a first transparent conducting layer (2) being provided between the gate layer (3) and the substrate (1), and a second transparent conducting layer (7) being provided between the active layer (5) and the electrode metal layer (8). Since the transparent conducting layers (2, 7) are added, adhesion between the gate layer (3) and the substrate (1) is enhanced, thereby preventing the electrode metal from diffusing toward the active layer (5).
(FR)L'invention concerne un transistor en couches minces, comprenant un substrat (1) et une couche de grille (3), une couche d'isolation de grille (4), une couche active (5), une couche de métal d'électrode (8) et une couche de passivation (9) qui sont formées successivement sur le substrat (1), la couche de métal d'électrode (8) comprenant une électrode de source (8a) et une électrode de drain (8b), l'électrode de source (8a) et l'électrode de drain (8b) étant isolées l'une de l'autre et une région de canal étant définie entre celles-ci, une première couche conductrice transparente (2) étant disposée entre la couche de grille (3) et le substrat (1), et une seconde couche conductrice transparente (7) étant disposée entre la couche active (5) et la couche de métal d'électrode (8). Etant donné que les couches conductrices transparentes (2, 7) sont ajoutées, une adhésion entre la couche de grille (3) et le substrat (1) est améliorée, ce qui évite que le métal d'électrode ne diffuse vers la couche active (5).
(ZH)提供了一种薄膜晶体管,其包括基板(1),以及在基板(1)上依次形成的栅极层(3)、栅绝缘层(4)、有源层(5)、电极金属层(8)和钝化层(9);电极金属层(8)包括源电极(8a)和漏电极(8b),源电极(8a)和漏电极(8b)互相隔离,之间界定了沟道区域;栅极层(3)和基板(1)之间有第一透明导电层(2);有源层(5)和电极金属层(8)之间有第二透明导电层(7)。由于增加了透明导电层(2,7),增强了栅极层(3)与基板(1)之间的附着力,阻止了电极金属向有源层(5)的扩散。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)