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1. (WO2014015316) GESTION THERMIQUE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉTROITEMENT INTÉGRÉ, SYSTÈME ET/OU BOÎTIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015316    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/051392
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.05.2014    
CIB :
H01L 23/34 (2006.01), G06F 1/20 (2006.01), G06F 1/32 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : CHUA-EOAN, Lew G.; (US).
ZHANG, Rongtian; (US)
Mandataire : GALLARDO, Michelle S.; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US).
PAULEY, Nicholas J.; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
61/673,803 20.07.2012 US
13/741,755 15.01.2013 US
Titre (EN) THERMAL MANAGEMENT OF TIGHTLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE, SYSTEM AND/OR PACKAGE
(FR) GESTION THERMIQUE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉTROITEMENT INTÉGRÉ, SYSTÈME ET/OU BOÎTIER
Abrégé : front page image
(EN)Some implementations provide a semiconductor package that includes a first die and a second die adjacent to the first die. The second die is capable of heating the first die. The semiconductor package also includes a leakage sensor configured to measure a leakage current of the first die. The semiconductor package also includes a thermal management unit coupled to the leakage sensor. The thermal management unit configured to control a temperature of the first die based on the leakage current of the first die.
(FR)Selon certains modes de réalisation, l'invention a trait à un boîtier semi-conducteur qui comprend un premier dé et un second dé voisin du premier. Le second dé peut chauffer le premier. Ledit boîtier semi-conducteur comporte également un capteur de fuites conçu pour mesurer le courant de fuite du premier dé. Le boîtier semi-conducteur inclut aussi une unité de gestion thermique couplée audit capteur de fuites. Cette unité de gestion thermique est destinée à réguler la température du premier dé en se basant sur le courant de fuite de ce premier dé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)