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1. (WO2014015285) DÉTECTEUR DE PHOTODIODES À AVALANCHE À PUITS MULTIPLES ET À CONFORMATION DE CHAMP POUR DES DIODES À SÉLÉNIUM AMORPHE À CONVERSION DIRECTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/015285    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/051351
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
CIB :
H01L 31/107 (2006.01), G01D 5/30 (2006.01)
Déposants : THE RESEARCH FOUNDATION FOR THE STATE UNIVERSITY OF NEW YORK [US/US]; 35 State Street Albany, NY 12207 (US)
Inventeurs : GOLDAN, Amirhossein; (US).
ZHAO, Wei; (US)
Mandataire : GALLAGHER III, John, F.; The Farrell Law Firm, PC 290 Broadhollow Road, Suite 210 E Melville, NY 11747 (US)
Données relatives à la priorité :
61/673,484 19.07.2012 US
Titre (EN) FIELD-SHAPING MULTI-WELL AVALANCHE DETECTOR FOR DIRECT CONVERSION AMORPHOUS SELENIUM
(FR) DÉTECTEUR DE PHOTODIODES À AVALANCHE À PUITS MULTIPLES ET À CONFORMATION DE CHAMP POUR DES DIODES À SÉLÉNIUM AMORPHE À CONVERSION DIRECTE
Abrégé : front page image
(EN)A field shaping multi-well avalanche detector and method for fabrication thereof are disclosed. The field shaping multi-well avalanche detector provides stable avalanche multiplication gain in direct conversion amorphous selenium radiation detectors. The detector provides stable avalanche multiplication gain by eliminating field hot-spots using high- density avalanche wells with insulated wells and field-shaping within each well.
(FR)La présente invention se rapporte à un détecteur de photodiodes à avalanche à puits multiples et à conformation de champ. L'invention se rapporte d'autre part à un procédé pour la fabrication dudit détecteur. Le détecteur de photodiodes à avalanche à puits multiples et à conformation de champ selon l'invention fournit un gain de multiplication stable de diodes à avalanche, dans des détecteurs de rayonnement d'un sélénium amorphe à conversion directe. Le détecteur fournit un gain de multiplication stable de diodes à avalanche grâce à l'élimination de points de champ chauds au moyen de diodes à avalanche à puits de forte densité qui comprennent des puits isolés et une conformation de champ à l'intérieur de chaque puits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)