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1. (WO2014014987) PHOTODÉTECTEUR À L'ÉTAT SOLIDE POSSÉDANT UNE RÉPONSE SPECTRALE VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014987    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/050810
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 17.07.2013
CIB :
G01J 3/00 (2006.01), G01J 3/02 (2006.01)
Déposants : MICROSEMI CORPORATION [US/US]; One Enterprise Aliso Viejo, California 92656 (US)
Inventeurs : MCNUTT, Michael, J.; (US)
Mandataire : KAHN, Simon; c/o Microsemi Corporation Att: Janet Drakes - Records Manager 3870 North First Street San Jose, California 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
61/673,079 18.07.2012 US
13/943,305 16.07.2013 US
Titre (EN) SOLID-STATE PHOTODETECTOR WITH VARIABLE SPECTRAL RESPONSE
(FR) PHOTODÉTECTEUR À L'ÉTAT SOLIDE POSSÉDANT UNE RÉPONSE SPECTRALE VARIABLE
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state photodetector with variable spectral response that can produce a narrow or wide response spectrum of incident light. Some embodiments include a solid-state device structure that includes a first photodiode and a second photodiode that share a common anode region. Bias voltages applied to the first photodiode and/or the second photodiode may be used to control the thicknesses of depletion regions of the photodiodes and/or a common anode region to vary the spectral response of the photodetector. Thickness of the depletion regions and/or the common anode region may be controlled based on resistance between multiple contacts of the common anode region and/or capacitance of the depletion regions. Embodiments include control circuits and methods for determining spectral characteristics of incident light using the variable spectral response photodetector.
(FR)La présente invention concerne un photodétecteur à l'état solide possédant une réponse spectrale variable qui peut produire un spectre étroit ou large de réponse de la lumière incidente. Certains modes de réalisation comprennent une structure de dispositif à l'état solide qui comprend une première photodiode et une seconde photodiode qui partagent une région d'anode commune. Des tensions de polarisation appliquées à la première photodiode et/ou la seconde photodiode peuvent être utilisées pour commander les épaisseurs de régions d'appauvrissement des photodiodes et/ou d'une région d'anode commune pour faire varier la réponse spectrale du photodétecteur. L'épaisseur des régions appauvries et/ou de la région d'anode commune peut être commandée sur la base d'une résistance entre plusieurs contacts de la région d'anode commune et/ou la capacité des régions d'appauvrissement. Des modes de réalisation comprennent des circuits de commande et des procédés permettant de déterminer des caractéristiques spectrales de lumière incidente à l'aide du photodétecteur à réponse spectrale variable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)