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1. (WO2014014878) DÉPÔT DE COUCHE ASSISTÉ PAR GRAVURE SÉLECTIVE ANGULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014878    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/050631
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 16.07.2013
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : VEECO INSTRUMENTS, INC. [US/US]; 1 Terminal Drive Plainview, NY 11803 (US)
Inventeurs : DRUZ, Boris, L.; (US).
IP, Vincent; (US).
DEVASAHAYAM, Adrian; (US)
Mandataire : HUMPHREY, Thomas, W.; Wood, Herron & Evans, LLP 2700 Carew Tower 441 Vine Street Cincinnati, OH 45202-2917 (US)
Données relatives à la priorité :
13/550,270 16.07.2012 US
Titre (EN) FILM DEPOSITION ASSISTED BY ANGULAR SELECTIVE ETCH
(FR) DÉPÔT DE COUCHE ASSISTÉ PAR GRAVURE SÉLECTIVE ANGULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)An ion etch assisted deposition apparatus deposits a thin film upon a substrate having a three dimensional feature, using an ion etching source and deposition source arranged at similar angles relative to the substrate and at an angle a relative to each other. The angle a is selected to be substantially equal the supplement of the angle α' formed between the three dimensional feature on the substrate and the substrate surface, in this configuration the relative flux of energetic etch ions and deposition atoms is adjusted to prevent the growth of poor quality deposited material.
(FR)L'invention concerne un appareil de dépôt assisté par gravure ionique. Ledit appareil dépose une couche mince sur un substrat présentant une caractéristique tridimensionnelle, en mettant en œuvre une source de gravure ionique et une source de dépôt agencées selon des angles similaires par rapport au substrat et selon un angle (a) l'une par rapport à l'autre. L'angle (a) est sélectionné de manière à être sensiblement égal au complément de l'angle (α') formé entre la caractéristique tridimensionnelle sur le substrat et la surface du substrat. Dans cette configuration, le flux relatif d'ions de gravure énergétiques et d'atomes de dépôt est régulé de façon à éviter la croissance de matériau déposé de mauvaise qualité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)