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1. (WO2014014115) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE DE PASSIVATION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014115    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069705
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C09K 3/00 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : HAYASAKA, Tsuyoshi; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
KURATA, Yasushi; (JP).
TANAKA, Tooru; (JP).
ORITA, Akihiro; (JP).
ADACHI, Shuichiro; (JP).
HATTORI, Takashi; (JP).
MATSUMURA, Mieko; (JP).
WATANABE, Keiji; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP).
HAMAMURA, Hirotaka; (JP)
Mandataire : TAIYO, NAKAJIMA & KATO; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160336 19.07.2012 JP
2012-218389 28.09.2012 JP
2013-011934 25.01.2013 JP
2013-040153 28.02.2013 JP
2013-103573 15.05.2013 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE DE PASSIVATION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a method for manufacturing a semiconductor substrate with a passivation layer, the method including: a step for forming a composition layer by applying, to a semiconductor substrate, a passivation-layer-forming composition containing a compound expressed by general formula (I): M(OR1)m (where M includes at least one metallic element selected from the group consisting of Nb, Ta, V, Y and Hf; each R1 individually represents a C1-8 alkyl group or a C6-14 aryl group; and m represents an integer of 1 to 5); and a step for heat-treating the composition layer at 300 to 1000°C to form a passivation layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à couche de passivation. Le procédé comprend: une étape de formation d'une couche de composition par application sur un substrat semi-conducteur d'une composition formant couche de passivation qui contient un composé de formule générale (I): M(OR1) m (dans laquelle M comprend au moins un élément métallique choisi dans le groupe constitué par Nb, Ta, V, Y et Hf; chaque R1 représentant individuellement un groupe alkyle C1-8 ou un groupe aryle C6-14; et m représentant un nombre entier compris entre 1 et 5); et une étape de traitement thermique de la couche de composition à une température comprise entre 300 et 1000 °C pour former une couche de passivation.
(JA) 半導体基板上に、下記一般式(I)で表される化合物を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を300℃~1000℃で熱処理してパッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法。 M(OR)m (I) [式中、MはNb、Ta、V、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含み、Rはそれぞれ独立して炭素数1~8のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、mは1~5の整数を表す。]
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)