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1. (WO2014014114) COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE DE PASSIVATION, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014114    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069704
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C09K 3/00 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : HAYASAKA, Tsuyoshi; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
KURATA, Yasushi; (JP).
TANAKA, Tooru; (JP).
ORITA, Akihiro; (JP).
ADACHI, Shuichiro; (JP).
HATTORI, Takashi; (JP).
MATSUMURA, Mieko; (JP).
WATANABE, Keiji; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP).
HAMAMURA, Hirotaka; (JP)
Mandataire : TAIYO, NAKAJIMA & KATO; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160336 19.07.2012 JP
2012-218389 28.09.2012 JP
2013-011934 25.01.2013 JP
2013-040153 28.02.2013 JP
2013-103571 15.05.2013 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING PASSIVATION LAYER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER, SOLAR CELL ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À COUCHE DE PASSIVATION, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)A composition for forming a passivation layer containing a compound expressed by general formula (I): M(OR1)m, and one material selected from the group consisting of a fatty acid amide, a polyalkylene glycol compound, and an organic filler. M includes at least one metallic element selected from the group consisting of Nb, Ta, V, Y and Hf; each R1 individually represents a C1-8 alkyl group or a C6-14 aryl group; and m represents an integer of 1 to 5.
(FR)L'invention concerne une composition destinée à former une couche de passivation, qui contient un composé de formule générale (I): M(OR1) m, et un matériau choisi dans le groupe constitué par un amide d'acide gras, un composé polyalkylène glycol, et une charge organique. M comprend au moins un élément métallique choisi dans le groupe constitué par Nb, Ta, V, Y et Hf; chaque R1 représente individuellement un groupe alkyle C1-8 ou un groupe aryle C6-14; et m représente un nombre entier compris entre 1 et 5.
(JA) 一般式(I):M(ORで表される化合物と、脂肪酸アミド、ポリアルキレングリコール化合物及び有機フィラーからなる群より選択される少なくとも1種と、を含むパッシベーション層形成用組成物。MはNb、Ta、V、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含む。Rはそれぞれ独立して炭素数1~8のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)