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1. (WO2014014110) COMPOSITION SERVANT À FORMER UNE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/014110    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/069700
Date de publication : 23.01.2014 Date de dépôt international : 19.07.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C09K 3/00 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : TANAKA, Tooru; (JP).
YOSHIDA, Masato; (JP).
NOJIRI, Takeshi; (JP).
KURATA, Yasushi; (JP).
ORITA, Akihiro; (JP).
ADACHI, Shuichiro; (JP).
HAYASAKA, Tsuyoshi; (JP).
HATTORI, Takashi; (JP).
MATSUMURA, Mieko; (JP).
WATANABE, Keiji; (JP).
MORISHITA, Masatoshi; (JP).
HAMAMURA, Hirotaka; (JP)
Mandataire : TAIYO, NAKAJIMA & KATO; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-160336 19.07.2012 JP
2012-218389 28.09.2012 JP
2013-011934 25.01.2013 JP
2013-040153 28.02.2013 JP
2013-103570 15.05.2013 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING PASSIVATION LAYER, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING PASSIVATION LAYER, PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING PASSIVATION LAYER, SOLAR CELL ELEMENT, PRODUCTION METHOD FOR SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL
(FR) COMPOSITION SERVANT À FORMER UNE COUCHE DE PASSIVATION, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE PASSIVATION, ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池
Abrégé : front page image
(EN) A composition for the formation of a passivation layer, said composition comprising a resin and a compound represented by general formula (I): M(OR1)m. In the formula, M represents at least one metallic element selected from the group consisting of Nb, Ta, V, Y and Hf. Each R1 independently represents a C1-8 alkyl radical or a C6-14 aryl radical. m represents an integer of 1-5.
(FR)L'invention concerne une composition servant à former une couche de passivation, ladite composition comprenant une résine et un composé représenté par la formule générale (I) : M(OR1)m. Dans la formule, M représente au moins un élément métallique choisi dans le groupe constitué par Nb, Ta, V, Y et Hf ; chaque R1 représente indépendamment un radical alkyle en C1-8 ou un radical aryle en C6-14 ; et m est un nombre entier valant de 1 à 5.
(JA) 一般式(I):M(ORで表される化合物と、樹脂と、を含有するパッシベーション層形成用組成物。式中、MはNb、Ta、V、Y及びHfからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含む。Rはそれぞれ独立して炭素数1~8のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表す。mは1~5の整数を表す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)